SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Diode AC/DC Omskakelaars

Inleiding

Oorsprongplek:	Zhejiang
Handelsnaam:	Inventchip Technology
Modelnommer:	IV1D12010T2
Sertifisering:

Minimumverpakkingskwantiteit:	450stks
Prys:
Verpakking besonderhede:
Afleweringstyd:
Betalingsterms:
Verskaf Vermoë:

Funksies

Maksimum Voegtemperatuur 175°C
Hoë Oorloopstroom Kapasiteit
Nul Terugwinststroom
Nul Vorentrek Spanning
Hoogfrequentiebedrywening
temperatuur onafhanklike skakelgedrag
Positiewe Temperatuurkoëffisiënt op VF

Toepassingsareas

Sonnepower Verhoging
Inverter Vryloopdiodes
Wenen 3-Fase PFC
AC/DC Omskakelaars
Omskakelingsmagvoorsieners

Omslag

Merk Diagram

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	Waarde	Eenheid
VRRM	Omvertoonspanning (herhalende piek)	1200	V
VDC	GK blokkeringsspanning	1200	V
As	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=25°C	30	A
	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=135°C	15.2	A
	Voorwaartse stroom (kontinu) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Oorbelasting nie-herhalende voorwaartse stroom sine halfgolf @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Oorbelasting herhalende voorwaartse stroom (Frequentie=0.1Hz, 100 siklusse) sine halfgolf @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
PTOT	Totale krwyweerstand @ Tc=25°C	176	W
	Totale krwyweerstand @ Tc=150°C	29
	I2t waarde @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedryfstemperatuurreeks van voegpunt	-55 tot 175	°C

Spannings wat die in die Tabel van Maksimum Klassifikasies gelys is oorskryd, kan die toestel skade berig. As enige van hierdie limiete oorskryd word, moet daar nie aangeneem word dat die toestel funksioneel sal wees nie; skade kan plaasvind en betroubaarheid kan beïnvloed word.

Elektrisiteit Kenmerke

Simbool	Parameter	Tipe.	Max.	Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VF	Voorwaartse Spanning	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Lug	Terugstroom	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Figs. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Totale kapasiteit	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Figs. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Totale kapasitiewe ladingskwantum	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
EC	Energie wat deur die kapasiteit gestoor word	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Figs. 5