650V 25mΩ Gen2 Motorvoertuig SiC MOSFET

Funksies

Toepassingsareas

Omskrywing:

Merkingsdiagram:

Absolute maksimum waardes (TC=25°C ten spyte van anderspesifikasie)

Simbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VDS	Afwyking Spanning	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimum DC Spanning	-5 tot 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Piek)	Maksimum piekspanning	-10 to 23	V	Werkingsverhouding<1%, en polsbreedte<200ns
VGSaan	Aanbevole aan-spanning	18±0.5	V
VGSoop	Aanbevole af-spanning	-3.5 tot -2	V
ID	Afrigstroom (kontinuus)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Figs. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afrigstroom (puls)	247	A	Pulswydte beperk deur SOA	Figs. 26
PTOT	Totale magtverbruik	454	W	TC =25°C	Figs. 24
Tstg	Opslagtemperatuurreeks	-55 tot 175	°C
TJ	Bedrywige skakeltemperatuur	-55 tot 175	°C
TL	Loodtemperatuur	260	°C	golflooding slegs toegelaat by pene, 1.6mm van die kis vir 10 s

Termiese data

Simbool	Parameter	Waarde	Eenheid	Nota
Rθ(J-C)	Termiese weerstand vanaf voeging na kasing	0.33	°C/W	Figs. 25

Elektrisiteit Kenmerke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
IDSS	Nul poort spanning draai stroom		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Poort lekstroom			±100	na	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Poort drempelspanning	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Poort drempelspanning		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statiese drain-bron aan-weerstand		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Figs. 4, 5, 6, 7
Ron	Statiese drain-bron aan-weerstand		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Figs. 4, 5, 6, 7
Ciss	Invoer kapasiteit		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figs. 16
Coss	Uitvoer kapasiteit		251		pF
Crss	Omgewings oordrag kapasiteit		19		pF
Eoss	Coss gestoorde energie		52		μJ		Fig. 17
Qg	Totale poortladings		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 tot 18V	Fig. 18
Qgs	Poort-bron ladings		35.7		nC
Qgd	Poort-drain ladings		38.5		nC
Rg	Poort invoerweerstand		1.5		o	f=1MHz
EON	Aansluitingsskakelenergie		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Uitskakelingsenergie		95.0		μJ
td(aan)	Aanslaagvertragings tyd		12.9		ns
tR	Stygtyd		26.5
td(uit)	Uitslaagvertragings tyd		23.2
tF	Valtyd		11.7
EON	Aansluitingsskakelenergie		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 tot 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Uitskakelingsenergie		99.7		μJ		Fig. 22

Omgewende Diode Karakteristieke (TC =25。C ten einde anders gespesifiseer)

Simbool	Parameter	Waarde			Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
Simbool	Parameter	Min.	Tipe.	Max.	Eenheid	Toetsvoorwaardes	Nota
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodenvoorwaartse spanning		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figs. 10, 11, 12
trr	Terugwinste tyd		32		ns	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Terugwinste ladingskaping		195.3		nC
IRRM	Piek omkeringsherstelstrom		20.2		A