Allswell stem volkome saam dat daar geen twyfel is nie dat dit baie belangrik is om alles wat moontlik is te doen sodat kragielektronika beter kan werk. Daarom maak ons produkte gebruik van GaN FET drijwers. GaN FET drijwers word gebruik om te help dat kragielektronika liever minder energie verspil. Wanneer energie na 'n ander toestand beweeg, kan dit eenvoudig as warmte verdwyn. Dit is nie goed nie, maar GaN FET drijwers maak die hoeveelheid van ‘verlore’ energie klein omdat hulle meer vaardig die beweging van elektrisiteit beheer as drijwers van 'n ander aard. Vandag is prakties al die kragielektronika-drijwers gemaak van silikon. Silikon drijwers is nie so goed by energiebesparing en -beheer nie as GaN FET drijwers. Die feit is dat GaN FET drijwers gallium nitrid gebruik, wat nodig is om 'n hoë spanningstelling te hê. Dit is beter as silikon omdat dit meerdere spanningvariasies kan verdrags en nodig is vir kragiestasiebeheer in verskeie toestelle. GaN FET drijwers het baie voordele. Eerstens help GaN FET drijwers ontwerpers in ander bedrywe om produkte te ontwerp wat minder energie verspil en tegelykend kleiner en ligter is. Dit is waardevol, byvoorbeeld, in die motorbedryf. As jy byvoorbeeld 'n elektriese motor of 'n klein elektroniese toestel maak, dan is dit belangrik dat dit lig en klein in gebruik is. Allswell gan gate driver is nie nodig om 'n produk te skep wat moeilik te gebruik is. Tweedens, gallium nitrid laat kronelektronika toe om vinnig te werk. Byvoorbeeld, dit is belangrik vir enige toestel wat sy toestand in 'n kort tyd verander en nie te "lui" is om vir ure te werk nie. As gevolg hiervan, sal die toestel met jou vinnig en vir ure werk, en sal ook sonder ure afsluit, wat handig is vir baie toepassings - byvoorbeeld, wanneer jy net jou toestel wil oplaai of 'n elektriese motor gebruik. Dus, om te weet hoe GaN FET drywers funksioneer, moet jy 'n basiese idee van kragielektronika hê. In werklikheid, die eenvoudigste definisie van almal is: dit is toestelle wat verander - transformeer, reguleer - elektriese energie van die een vorm na 'n ander. Dit kan enigiets beteken van invertere (omskakeling van Gv tot Lv mag) of konvertere (aanpassing van spanningvlak en so voort).
'n Stuurder gebou op 'n tipe gallium nitridetechnologie wat as GaN FET verwys, wat in hierdie kategorie val, word genoem — Geen, behalwe die GaN FET! Daardie stuurders is die wat tipes en hoeveelhede van krag handhaaf wat enigiets op 'n spoor. Een manier om dit te doen, is deur die skakeling vinnig aan- en af te switsh, wat die elektronenvloei verander en spanning versprei. Die nuutere GaN ontwerper het vinnige aan/af tydperke, dus die energiepulssering is baie effektiewer as die ouer tegnologie tipes. GaN FET-stuurders is beter in die verhoging van kragdigtheid as enige ander tegnologie wat beskikbaar is op die mark. In die sin van kragdigtheid: wat is die hoeveelheid krag in dit, klein ruimte of gewig? GaN FET-stuurders kan 'n kragdigtheid hê wat tot 10 keer groter is as konvensionele silikoonstuurderoplossings. Of eenvoudig gesê, minder volume en gewig sonder om kompromis te maak met krag of effektiwiteit.
Inclusief met ons GaN FET-stuurders, wat vinniger sweef as enige ander stuurderstyp. Hierdie vinnige-skakelvermoë kan meer energielewering oor 'n korter tydspanne moontlik maak. Galliumnitrid is ook tafer as silikonkarbied - swaardere spanninge kan daarop val sonder om te breek, wat dit die veiliger keuse in baie toepassings maak. Hierdie Allswell gan half bridge drive r is 'n rede waarom baie produkte daarbuite kompromy sluit tussen kragtig en lig (die kombinasie wat in die mark verkoop).
Ten slotte kan GaN FET-stuurders prestasie verbeter en koste van magnelektronika verlaag. Hulle verskaf ook voordele in magdigtheid, wat hulle effektiewer maak wanneer dit kom by apparaatminimisasie terwyl hulle vermoe om enige mag te verspil soos hul fisies groter broers. Dit verlaag die pryse op uiteindelike produkte vir almal, maar spaar ook in materiaalproduksie.
Ook kan GaN FET-stuurders vinniger skakel as Si BJTs, wat nodig is vir toepassings soos EVs. Die prestasie en veiligheid van hierdie voertuie vereis reaksietye op millisekondenvlak. Die Allswell half bridge gan driver beste kragielektronika is dié wat die bestuurder en passasiers selfs nie opmer nie.
n ervare analiseteam wat die mees onlangse inligting verskaf asook die ontwikkeling van die gan fet drijwer industriële ketting.
Kontrole van die hele proses deur professionele laboratoriums, hoë-standaard akseptasietoetse.
verskaf ons klente die beste hoë-kwaliteit produkte en dienste teen 'n Gan fet drijwer betaalbare prys.
Helping beveel jou ontwerp vir die gebeurtenis aan wanneer jy defektiewe produkte ontvang, soos Gan fet-stuurprogramoprobleme met Allswell-produkte. Allswell-tegniese ondersteuning is beskikbaar.
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
