SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Diode AC/DC কনভার্টার

ভূমিকা

উৎপত্তি স্থান:	ঝেজিয়াং
ব্র্যান্ড নাম:	ইনভেন্টচিপ টেকনোলজি
মডেল নম্বর:	IV1D12010T2
সার্টিফিকেশন:

ন্যূনতম প্যাকিং পরিমাণ:	৪৫০পিসি
মূল্য:
প্যাকেজিংয়ের বিবরণ:
বিতরণের সময়:
পেমেন্ট শর্তাবলী:
সরবরাহ ক্ষমতা:

বৈশিষ্ট্যসমূহ

সর্বোচ্চ জাইনশন তাপমাত্রা ১৭৫°সি
উচ্চ বর্জিত বর্তনী ধারণ ক্ষমতা
শূন্য বিপরীত পুনঃপ্রাপ্তি বিদ্যুৎ
শূন্য অগ্রগামী পুনঃপ্রাপ্তি ভোল্টেজ
উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অপারেশন
তাপমাত্রা স্বাধীন সুইচিং আচরণ
পজিটিভ টেম্পারেচার কোয়েফিশেন্ট ওপর VF

প্রয়োগ

সৌর শক্তি বুস্ট
ইনভার্টার ফ্রি ওয়াইলিং ডায়োড
ভিয়েনা ৩-ফেজ পিএফসি
এসি/ডিসি কনভার্টার
সুইচ মোড পাওয়ার সাপ্লাই

আউটলাইন

মার্কিং ডায়াগ্রাম

অবসোলিউট ম্যাক্সিমাম রেটিংস (TC=25°C যদি অন্যথাকথা না হয়)

প্রতীক	প্যারামিটার	মান	একক
VRRM	বিপরীত ভোল্টেজ (পুনরাবৃত্তি পিক)	1200	ভি
ভিডিসি	ডিসি ব্লকিং ভোল্টেজ	1200	ভি
যদি	অগ্রগামী জ্বালানি (নিরंতর) @Tc=25°C	30	একটি
	আগামী বর্তমান (নিরবচ্ছিন্ন) @Tc=135°C	15.2	একটি
	আগামী বর্তমান (নিরंতর) @Tc=155°C	10	একটি
IFSM	অতিরিক্ত পুনরাবৃত্তি না আগামী বর্তমান সাইন অর্ধতরঙ্গ @Tc=25°C tp=10ms	72	একটি
IFRM	অতিরিক্ত পুনরাবৃত্তি আগামী বর্তমান (Freq=0.1Hz, 100চক্র) সাইন অর্ধতরঙ্গ @Tamb =25°C tp=10ms	56	একটি
PTOT	মোট শক্তি বিকিরণ @ Tc=25°C	176	W
	মোট শক্তি বিকিরণ @ Tc=150°C	29
	I2t মান @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	সঞ্চয়স্থানের তাপমাত্রা পরিসীমা	-55 থেকে 175	°C
TJ	অপারেশনাল জাংশন তাপমাত্রা রেঞ্জ	-55 থেকে 175	°C

ম্যাক্সিমাম রেটিংস টেবিলে তালিকাভুক্ত হওয়া চেয়ে বেশি চাপগুলি ডিভাইসকে ক্ষতিগ্রস্ত করতে পারে। এই সীমাগুলির যদি কোনওটি অতিক্রম করা হয়, তবে ডিভাইসের কার্যকারিতা ধরে নেওয়া উচিত নয়, ক্ষতি ঘটতে পারে এবং বিশ্বস্ততা প্রভাবিত হতে পারে।

বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য

প্রতীক	প্যারামিটার	প্রতীক	ম্যাক্স.	একক	টেস্ট শর্তাবলী	নোট
VF	আগামী ভোল্টেজ	1.48	1.7	ভি	IF = 10 A TJ =25°C	চিত্র। ১
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
আইআর	বিপরীত বর্তনি	1	100	μA	VR = 1200 ভোল্ট TJ = 25°C	চিত্র 2
		10	250		VR = 1200 ভোল্ট TJ = 175°C
সি	মোট ধারকতা	575		pf	VR = 1 ভোল্ট, TJ = 25°C, f = 1 MHz	চিত্র 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
গুণবর্তি নিয়ন্ত্রণ (QC)	মোট ধারণক্ষমতা চার্জ	62		এন সি	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	চিত্র। 4
Ec	ধারণক্ষমতা সংরক্ষিত শক্তি	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	চিত্র 5

তাপমাত্রা বৈশিষ্ট্য

প্রতীক	প্যারামিটার	প্রতীক	একক	নোট
Rth(j-c)	যোগাঁট থেকে কেসের তাপমান প্রতিরোধ	0.85	°C/W	চিত্র 7