1200V 160mΩ Gen2 Automobil SiC MOSFET

Funktioner

Ansøgninger

Omriss:

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Spids)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 23	V	Cyklusforhold<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-3,5 til -2	V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	19	A.	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A.	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	47	A.	Pulsbredde begrænset af SOA	Fig. 26
Ptot	Samlet effektdissipation	136	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperature for forbindelsesareal	-55 til 175	°C
TL	Solderings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tilladt ved ledninger, 1.6mm fra huse i 10 s

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	1.1	°C/W	Fig. 25

Elektriske egenskaber (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Statiske drain-kilde på - modstand		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Indgangskapacitans		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		34		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		2.3		pF
Eoss	Coss-lageret energi		14		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		6.6		nC
Qgd	Gate-drain ladning		14.4		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		10		ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		22		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		2.5		nS
tR	Stigningstid		9.5
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		7.3
tF	Faldtid		11.0
EON	Sluk-skifteenergi		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 til 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkens skifteenergi		19		μJ

Omvendt diodekarakteristika (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremadspænding		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt genopretnings tid		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		92		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		10.6		A.