1200V 30mΩ Gen2 Automobil SiC MOSFET

Funktioner

Anvendelser

Omriss:

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (TC=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Spids)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 23	V	Cyklusforhold<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-3,5 til -2	V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	198	A	Pulsbredde begrænset af SOA	Fig. 26
Ptot	Samlet effektdissipation	395	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperature for forbindelsesareal	-55 til 175	°C
TL	Solderings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tilladt ved ledninger, 1.6mm fra huse i 10 s

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	0.38	°C/W	Fig. 23

Elektriske egenskaber (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Grensevoltage for spændingsport		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statiske drain-kilde på - modstand		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Indgangskapacitans		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		140		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		7.7		pF
Eoss	Coss-lageret energi		57		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		36.8		nC
Qgd	Gate-drain ladning		45.3		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		2.3		ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		118.0		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		15.4		nS
tR	Stigningstid		24.6
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		28.6
tF	Faldtid		13.6

Omvendt diodekarakteristika (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
VSD	Diode fremadspænding		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175. C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt genopretnings tid		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		470.7		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		20.3		A