1200V 25mohm SiC MODULE Motorstyrere

Oprindelsessted:	Zhejiang
Mærkenavn:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1B12025HC1L
Certificering:	AEC-Q101

Funktioner

• Høj blokerings-spænding med lav tilstandsmodstand

• Hurtig skifting med lav kapacitet

• Høj driftsforbindelsestemperaturkapacitet

• Meget hurtig og robust indbygget kropdiode

Ansøgninger

• Solenergi applikationer

• UPS-system

• Motorstyrere

• Højspændings DC/DC-konvertere

Pakke

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1200	V	VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 22	V	Statis (DC)
VGSmax (Spids)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 25	V	<1% cyklusforhold, og pulsvidde <200ns
VGSon	Anbefalet tændingspænding	20±0.5	V
VGSoff	Anbefalet slukkespænding	-3,5 til -2	V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	74	A.	VGS =20V, TC =25°C
		50	A.	VGS =20V, TC =94°C
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	185	A.	Pulsbredde begrænset af SOA	Fig.26
Ptot	Samlet effektdissipation	250	W	TC =25°C	Fig.24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-40 til 150	°C
Tj	Maksimal virtuel knudepunktstemperatur under skifteforhold	-40 til 150	°C	Drift
		-55 til 175	°C	Intermittent med reduceret levetid

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	0.5	°C/W	Fig.25

Elektriske egenskaber (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm		2	±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport		3.2		V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
Ron	Statiske drain-kilde på - modstand		25	33	mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C	Fig.4-7
			36		mΩ	VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss	Indgangskapacitans		5.5		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Udgangskapacitans		285		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		20		pF
Eoss	Coss-lageret energi		105		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		240		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 til 20V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		50		nC
Qgd	Gate-drain ladning		96		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		1.4		ω	f=100kHZ
EON	Sluk-skifteenergi		795		μJ	VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Slukkens skifteenergi		135		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		15		nS
tR	Stigningstid		4.1
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		24
tF	Faldtid		17
LsCE	Fremmedinduktans		8.8		- Nej.

Omvendt diodekarakteristika (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremadspænding		4.9		V	ISD =40A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Omvendt genopretnings tid		18		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		1068		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		96.3		A.

Egenskaber for NTC-thermistor

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
RNTC	Anslået modstand		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR/R	Modstandstolerance ved 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-værdi		3380		K	±1%
Pmax	Strømforbrug		5		mW

Typisk ydelse (kurver)

         

Pakkeafmålinger (mm)

NOTER

For yderligere information, kontakt IVCT's Salgsafdeling.

Copyright©2022 InventChip Technology Co., Ltd. Alle rettigheder forbeholdes.

Oplysningerne i dette dokument er underlagt ændringer uden varsel.

Relaterede links

http://www.inventchip.com.cn