1200V 40mΩ Gen2 Automobil SiC MOSFET

Funktioner

Ansøgninger

Omriss:

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Transitorisk)	Maksimal transitorisk spænding	-10 til 23	V	Cyklusforhold<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-5 til -2	V	Typisk -3,5V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	65	A.	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	48	A.	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	162	A.	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kropdiodestrøm (pulsvis)	162	A.	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Samlet effektdissipation	375	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperature for forbindelsesareal	-55 til 175	°C
TL	Solderings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tilladt ved ledninger, 1.6mm fra huse i 10 s

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektriske karakteristika (TC = 25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Grensevoltage for spændingsport		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Statiske drain-kilde på - modstand		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C
Ciss	Indgangskapacitans		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		100		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		5.8		pF
Eoss	Coss-lageret energi		40		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		25		nC
Qgd	Gate-drain ladning		59		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		2.1		ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		70.0		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		9.6		nS
tR	Stigningstid		22.1
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		19.3
tF	Faldtid		10.5
EON	Sluk-skifteenergi		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkens skifteenergi		73.8		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristika (TC =25. C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
VSD	Diode fremadspænding		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
IS	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			63	A.	VGS =-2V, TC =25。C
IS	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			36	A.	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt genopretnings tid		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		198.1		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		17.4		A.