1700V 1000mΩ SiC MOSFET Solinvertere

Oprindelsessted:	Zhejiang
Mærkenavn:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV2Q171R0D7Z
Certificering:	AEC-Q101 godkendt

Funktioner

• 2. generation SiC MOSFET-tekologi med +15~+18V gate drivning

• Høj blokerings-spænding med lav tilstandsmodstand

• Hurtig skifting med lav kapacitet

• 175℃ driftsforbindelses temperaturkapacitet

• Ultra hurtig og robust indbygget kropdiode

• Kelvin gate input letter driverkredsløbsdesign

• AEC-Q101 godkendt

Anvendelser

• Solvarmeinvertere

• Hjælpemidler for strømforsyninger

• Switch Mode Strømforsyninger

• Smarte måleure

Omriss:

 

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (Transitorisk)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 23	V	Taktpause <1%, og pulsbredde <200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	15 til 18	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-5 til -2	V	Typisk værdi -3,5V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	6.3	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		4.8	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	15.7	A	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Kropdiodestrøm (pulsvis)	15.7	A	Pulsbredde begrænset af SOA og dynamisk Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Samlet effektdissipation	73	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperature for forbindelsesareal	-55 til 175	°C

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	2.05	°C/W	Fig. 25

Elektriske egenskaber (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	Fig. 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
Ron	Statiske drain-kilde på - modstand		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	Indgangskapacitans		285		pF	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		15.3		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		2.2		pF
Eoss	Coss-lageret energi		11		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		16.5		nC	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		2.7		nC
Qgd	Gate-drain ladning		12.5		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		13		ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V til 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		17.0		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		4.8		nS
tR	Stigningstid		13.2
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		12.0
tF	Faldtid		66.8
EON	Sluk-skifteenergi		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3,5V til 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22

Omvendt diodekarakteristika (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremadspænding		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175。C
IS	Diode fremadstrøm (kontinuerlig)			11.8	A	VGS =-2V, TC =25。C
				6.8	A	VGS =-2V, TC=100。C
trr	Omvendt genopretnings tid		20.6		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		54.2		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		8.2		A

Typisk ydelse (kurver)

 

Pakke dimensioner

Bemærk:

1. Pakke Reference: JEDEC TO263, Variation AD

2. Alle dimensioner er i mm

3. Underlagt ændring uden varsel