650V 25mΩ Gen2 Automobil SiC MOSFET

Funktioner

Ansøgninger

Omriss:

Mærkningsdiagram:

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Spids)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 23	V	Cyklusforhold<1%, og pulsbredde<200ns
VGSon	Anbefalet slukke-spenning	18±0,5	V
VGSoff	Anbefalet slukke-spenning	-3,5 til -2	V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	99	A.	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A.	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	247	A.	Pulsbredde begrænset af SOA	Fig. 26
Ptot	Samlet effektdissipation	454	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-55 til 175	°C
Tj	Driftstemperature for forbindelsesareal	-55 til 175	°C
TL	Solderings temperatur	260	°C	bølgesoldering kun tilladt ved ledninger, 1.6mm fra huse i 10 s

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-C)	Termisk modstand fra forbindelse til huse	0.33	°C/W	Fig. 25

Elektriske egenskaber (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Grensevoltage for spændingsport		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
Ron	Stati drainer-kilde-tilstand modstand		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ron	Stati drainer-kilde-tilstand modstand		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Indgangskapacitans		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Udgangskapacitans		251		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		19		pF
Eoss	Coss-lageret energi		52		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 til 18V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		35.7		nC
Qgd	Gate-drain ladning		38.5		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		1.5		ω	f=1MHz
EON	Sluk-skifteenergi		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
EOFF	Slukkens skifteenergi		95.0		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		12.9		nS
tR	Stigningstid		26.5
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		23.2
tF	Faldtid		11.7
EON	Sluk-skifteenergi		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3,5 til 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =175。C	Fig. 22
EOFF	Slukkens skifteenergi		99.7		μJ		Fig. 22

Omvendt diodekarakteristika (TC =25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Maks.	Enhed	Testbetingelser	Note
VSD	Diode fremadspænding		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Diode fremadspænding		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Omvendt genopretnings tid		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		195.3		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		20.2		A.