IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm SiC MODULE Sol

Oprindelsessted:	Zhejiang
Mærkenavn:	Inventchip Technology
Modelnummer:	IV1B12013HA1L
Certificering:	AEC-Q101

Funktioner

• Høj blokerings-spænding med lav tilstandsmodstand

• Hurtig skifting med lav kapacitet

• Høj driftsforbindelsestemperaturkapacitet

• Meget hurtig og robust indbygget kropdiode

Ansøgninger

• Solenergi applikationer

• UPS-system

• Motorstyrere

• Højspændings DC/DC-konvertere

Pakke

Mærkningsdiagram

Absolutte maksimale værdier (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Testbetingelser	Note
VDS	Drener-kilde-spenning	1200	V
VGSmax (DC)	Maksimal DC-spenning	-5 til 22	V	Statis (DC)
VGSmax (Spids)	Maksimal spidsforspænding	-10 til 25	V	<1% cyklusforhold, og pulsvidde <200ns
VGSon	Anbefalet tændingspænding	20±0.5	V
VGSoff	Anbefalet slukkespænding	-3,5 til -2	V
Id	Afskydningstræf (kontinuerligt)	96	A.	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A.	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Afskydningstræf (pulsvis)	204	A.	Pulsbredde begrænset af SOA	Fig.26
Ptot	Samlet effektdissipation	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
Tstg	Opbevaringstemperaturområde	-40 til 150	°C
Tj	Maksimal virtuel knudepunktstemperatur under skifteforhold	-40 til 150	°C	Drift
		-55 til 175	°C	Intermittent med reduceret levetid

Termisk data

Symbol	Parameter	Værdi	Enhed	Note
Rθ(J-H)	Termisk modstand fra forbindelse til køleskive	0.596	°C/W	Fig.25

Elektriske egenskaber (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
IDSS	Drainstrøm ved nul gate-spenning		10	200	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Gate udslipshstrøm			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Grensevoltage for spændingsport	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
Ron	Stati drainer-kilde-tilstand modstand		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25. C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150. C
Ciss	Indgangskapacitans		11		nF	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Udgangskapacitans		507		pF
Crss	Omvendt overførselscapacitance		31		pF
Eoss	Coss-lageret energi		203		μJ		Fig. 17
Qg	Total spændingsladning		480		nC	VDS = 800V, ID = 80A, VGS = -5 til 20V	Fig. 18
Qgs	Gatesource-ladning		100		nC
Qgd	Gate-drain ladning		192		nC
Rg	Gate indgangsmodstand		1.0		ω	f=100kHZ
EON	Sluk-skifteenergi		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 til 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
EOFF	Slukkens skifteenergi		182		μJ
td(åben)	Tændelsesforsinkelsestid		30		nS
tR	Stigningstid		5.9
td(sluk)	Slukkens forsinkelsestid		37
tF	Faldtid		21
LsCE	Fremmedinduktans		7.6		- Nej.

Omvendt diodekarakteristika (Tc=25°C med mindre andet er angivet)

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
VSD	Diode fremadspænding		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Omvendt genopretnings tid		17.4		nS	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
Qrr	Omvendt genopretningsgebyr		1095		nC
IRRM	Toppunkt for omvendt genopretningsstrøm		114		A.

Egenskaber for NTC-thermistor

Symbol	Parameter	Værdi			Enhed	Testbetingelser	Note
		Min.	Typ.	Maks.
RNTC	Anslået modstand		5		kΩ	TNTC =25℃	Fig.27
δR/R	Modstandstolerance ved 25℃	-5		5	%
β25/50	Beta-værdi		3380		K	±1%
Pmax	Strømforbrug		5		mW

Typisk ydelse (kurver)

         

Pakkeafmålinger (mm)