SiC MOSFET

siC MOSFET 1200V 160mΩ Γενιάς 2 Για Αυτοκίνητα

Εισαγωγή

Τόπος Προέλευσης:	Zhejiang
Όνομα Εμπορικής Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV2Q12160T4Z
Πιστοποίηση:	AEC-Q101

Ελάχιστη Ποσότητα Παραγγελίας:	450 κομμάτια
Τιμή:
Λεπτομέρειες Πακέτων:
Χρόνος Παράδοσης:
Όροι Πληρωμής:
Δυνατότητα Εφοδιασμού:

Χαρακτηριστικά

2η Γενιά Τεχνολογίας SiC MOSFET με +18V ένδειξη πύλης
Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης
Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα
Υψηλή δυνατότητα λειτουργίας σε υψηλή θερμοκρασία συνδέσεως
Πολύ γρήγορο και αξιόπιστο ενδογενές σώμα διόδου
Είσοδος πύλης Kelvin επιτρέποντας εύκολη σχεδίαση κυκλώματος κιβώτιου

Εφαρμογές

Αυτοκινητιστικοί DC/DC μετατροπείς
Εσωτερικοί φορτιστές
Ηλιακοί μετατροπείς
Οδηγοί μοτέρ
Συμπιεστικά μετατροπείς για αυτοκίνητα
Εφοδιαστές Δυναμικής Σε Κύματα Αλλαγής

Περίγραμμα:

Διάγραμμα Σημειώσεων:

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VDS	Τασή Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Μέγιστη τάση συνεχούς	-5 με 20	V	Στατικό (DC)
VGSmax (Σπίκ)	Μέγιστο ηλεκτρικό υπερβολής φάσματος	-10 έως 23	V	Διαδρομή κύκλου <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns
VGSon	Συστεματική θέση ενεργοποίησης	18±0.5	V
VGSoff	Συστεματική θέση απενεργοποίησης	-3.5 μέχρι -2	V
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	19	Α	VGS =18V, TC =25°C	Σχήμ. 23
		14	Α	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Ρεύμα δρενού (διακοπτό)	47	Α	Πλάτος διαδοχικού περιορισμένο από το SOA	Σχήμα 26
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας	136	W	ΤΚ = 25°C	Σχ. 24
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 μέχρι 175	°C
Tj	Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης	-55 μέχρι 175	°C
TL	Θερμοκρασία κολλώσεως	260	°C	επιτρέπεται κολλώση μόνο στα πόδια, 1.6mm από το κελίσμα για 10 δευτερόλεπτα

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Σημείωση
Rθ(J-C)	Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη	1.1	°C/W	Σχ. 25

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά (TC =25。C εάν δεν οριστεί άλλο)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
		Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.
IDSS	Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης		5	100	μΑ	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Ρεύμα εξαγωγής πύλης			±100	οΧΙ	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Σχήμ. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Τράβα	Στατική οχυρό-πηγής αντίσταση		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Σχ. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Εισαγωγική ικανότητα		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Σχ. 16
Coss	Έξοδος ικανότητας		34		pF
Crss	Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα		2.3		pF
Eoss	Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss		14		μJ		Κάν. 17
Qg	Συνολικό φορτίο πύλης		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 έως 18V	Κάν. 18
Qgs	Φορτίο πύλης-πηγής		6.6		nC
Qgd	Φορτίο πύλης-διακόμβων		14.4		nC
Rg	Αντίσταση εισόδου πύλης		10		ω	f=1MHz
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 μέχρι 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Σχήμα 19, 20
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		22		μJ
td(εν)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης		2.5		nS
τΡ	Χρόνος ανύψωσης		9.5
td(απ)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		7.3
tF	Χρόνος πτώσης		11.0
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 έως 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Σχήμ. 22
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		19		μJ

Χαρακτηριστικά αντίστροφου διόδου (TC =25。C εάν δεν οριστεί άλλο)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
Σύμβολο	Παράμετρος	Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Σχ. 10, 11, 12
VSD	Στροφική ένταση διόδου		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175°C	Σχ. 10, 11, 12
trr	Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		92		nC
IRRM	Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		10.6		Α