SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Διόδος AC/DC Μετατροπείς

Εισαγωγή

Τόπος Προέλευσης:	Zhejiang
Όνομα Εμπορικής Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV1D12010T2
Πιστοποίηση:

Ελάχιστη ποσότητα συσκευασίας:	450 κομμάτια
Τιμή:
Λεπτομέρειες Πακέτων:
Χρόνος Παράδοσης:
Όροι Πληρωμής:
Δυνατότητα Εφοδιασμού:

Χαρακτηριστικά

Μέγιστη Θερμοκρασία Συνδέσεως 175°C
Υψηλή Ικανότητα Σύρματος Τρέξιμου
Μηden Ανάστροφη Αποκατάσταση Ρεύματος
Μηden προάλλαξη φορτίου μπροστά
Λειτουργία υψηλής συχνότητας
ανεξάρτητη από τη θερμοκρασία συμπεριφορά κατά την κατάσταση
Θετικός Συντελεστής Θερμοκρασίας στο VF

Εφαρμογές

Αύξηση Ισχύος Ηλιακής Ενέργειας
Διακόπτεις αναστροφής για μετατροπείς
Vienna 3-Φάσεις PFC
Μετατροπείς AC/DC
Εφοδιαστές Δυναμικής Σε Κύματα Αλλαγής

Εξωτερική Μορφή

Διάγραμμα Σημειώσεων

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα
VRRM	Αντίστροφη ένταση (επαναλαμβανόμενος κορύφωνας)	1200	V
VDC	Ένταση DC αποκλεισμού	1200	V
Αν	Προάγγειλη ροή (συνεχής) @Tc=25°C	30	Α
	Προς μπράβο ρεύμα (συνεχές) @Tc=135°C	15.2	Α
	Προς μπιβαση (συνεχής) @Tc=155°C	10	Α
IFSM	Ρεύμα κρουσματικής παρεμβολής μη επαναλαμβανόμενο ημικύμα της αμοιβαίας @Tc=25°C tp=10ms	72	Α
IFRM	Ρεύμα κρουσματικής παρεμβολής επαναλαμβανόμενο (Συχνότητα=0.1Hz, 100 κύκλοι) ημικύμα της αμοιβαίας @Tamb =25°C tp=10ms	56	Α
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας @ Tc=25°C	176	W
	Συνολική διαφορά ενέργειας @ Tc=150°C	29
	Ι2t τιμή @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 μέχρι 175	°C
Tj	Όροι λειτουργίας θερμοκρασίας συνδέσεων	-55 μέχρι 175	°C

Οι πίεσης που υπερβαίνουν αυτές που αναφέρονται στον πίνακα Μέγιστων Αξιών μπορούν να ζημιώσουν το συσκευάσμα. Εάν οποιαδήποτε από αυτά τα όρια υπερβληθεί, δεν θα πρέπει να υποθέτεται η λειτουργία του συσκευάσματος, μπορεί να γίνει ζημιά και η αξιοπιστία μπορεί να επηρεαστεί.

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Σύμβολο	Παράμετρος	Τυπικά	Μέγ.	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VF	Προς τα εμπρός ένταση	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Σχ. 1
		2.0	3.0		ΕΑ = 10 Α ΤJ =175°C
Ir	Αντίστροφος Ρεύματος	1	100	μΑ	ΕΡ = 1200 Β ΤΚ =25°C	Σχήμα 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
Γ	Συνολική Εγκάθετη Ικανότητα	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Σχήμα 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
ΚΠ	Συνολική Καπακτική Φορτίωση	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Σχ. 4
Ec	Ενέργεια Που Αποθηκεύεται Στην Καπακτότητα	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Σχ. 5

Θερμικές Ιδιότητες

Σύμβολο	Παράμετρος	Τυπικά	Μονάδα	Σημείωση
Rth(j-c)	Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη	0.85	°C/W	Σχ.7