SiC MOSFET

1200V 40mΩ Γενιάς 2 Αυτοκινητιστικό SiC MOSFET

Εισαγωγή

Τόπος Προέλευσης:	Σανγάι
Όνομα Εμπορικής Μάρκας:	Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου:	IV2Q12040T4Z
Πιστοποίηση:	AEC-Q101

Χαρακτηριστικά

2^ndΤεχνολογία Συνδρομής SiC MOSFET με
+15~+18V οδηγός πύλης
Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης
Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα
δυνατότητα λειτουργικής θερμοκρασίας σύνδεσης 175°C
Εξαιρετικά γρήγορος και δυνατός ενδογενής παραγωγικός διόδος
Είσοδος πύλης Kelvin επιτρέποντας εύκολη σχεδίαση κυκλώματος κιβώτιου
Προσαρμογή AEC-Q101

Εφαρμογές

Φορτωτές συσκευές EV και OBCs
Βολτάρισεις ηλιακών
Συμπιεστικά μετατροπείς για αυτοκίνητα
Διεφορικές παροχές δυναμικής μετατροπής AC/DC

Περίγραμμα:

Διάγραμμα Σημειώσεων:

Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VDS	Τασή Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Προσωρινό)	Μέγιστη παράκλαδη τάση	-10 έως 23	V	Διαδρομή κύκλου <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns
VGSon	Συστεματική θέση ενεργοποίησης	15 έως 18	V
VGSoff	Συστεματική θέση απενεργοποίησης	-5 έως -2	V	Τυπική -3.5V
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	65	Α	VGS =18V, TC =25°C	Σχήμ. 23
Δ.Μ.	Ρεύμα δρενού (συνεχές)	48	Α	VGS =18V, TC =100°C	Σχήμ. 23
IDM	Ρεύμα δρενού (διακοπτό)	162	Α	Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)	Σχήμ. 25, 26
ISM	Ρεύμα διόδου σώματος (διακοπτό)	162	Α	Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C)	Σχήμ. 25, 26
Ptot	Συνολική διαφορά ενέργειας	375	W	ΤΚ = 25°C	Σχ. 24
Tstg	Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης	-55 μέχρι 175	°C
Tj	Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης	-55 μέχρι 175	°C
TL	Θερμοκρασία κολλώσεως	260	°C	επιτρέπεται κολλώση μόνο στα πόδια, 1.6mm από το κελίσμα για 10 δευτερόλεπτα

Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία	Μονάδα	Σημείωση
Rθ(J-C)	Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη	0.4	°C/W	Σχ. 25

Ηλεκτρικές Παραμέτρους (TC =25°C εάν διαφορετικά δεν καθοριστεί)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
Σύμβολο	Παράμετρος	Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
IDSS	Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης		5	100	μΑ	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Ρεύμα εξαγωγής πύλης			±100	οΧΙ	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Σχήμ. 8, 9
VTH	Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Σχήμ. 8, 9
Τράβα	Στατική οχυρό-πηγής αντίσταση		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25°C	Σχ. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175°C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25°C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175°C
Ciss	Εισαγωγική ικανότητα		2160		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Σχ. 16
Coss	Έξοδος ικανότητας		100		pF
Crss	Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα		5.8		pF
Eoss	Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss		40		μJ		Κάν. 17
Qg	Συνολικό φορτίο πύλης		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 έως 18V	Κάν. 18
Qgs	Φορτίο πύλης-πηγής		25		nC
Qgd	Φορτίο πύλης-διακόμβων		59		nC
Rg	Αντίσταση εισόδου πύλης		2.1		ω	f=1MHz
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 έως 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25°C	Σχήμα 19, 20
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		70.0		μJ
td(εν)	Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης		9.6		nS
τΡ	Χρόνος ανύψωσης		22.1
td(απ)	Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης		19.3
tF	Χρόνος πτώσης		10.5
EON	Ενέργεια κατά την ανάπτυξη		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 έως 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Σχήμ. 22
EOFF	Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης		73.8		μJ		Σχήμ. 22

Χαρακτηριστικά αναστροφής διόδου (TC =25。C εκτός αν άλλως καθοριστεί)

Σύμβολο	Παράμετρος	Αξία			Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
Σύμβολο	Παράμετρος	Ελάχιστο.	Τυπικά	Μέγ.	Μονάδα	Συνθήκες Δοκιμασίας	Σημείωση
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Σχ. 10, 11, 12
VSD	Στροφική ένταση διόδου		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C	Σχ. 10, 11, 12
IS	Στροφική ένταση διόδου (συνεχής)			63	Α	VGS =-2V, TC =25°C
IS	Στροφική ένταση διόδου (συνεχής)			36	Α	VGS =-2V, TC=100°C
trr	Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		198.1		nC
IRRM	Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση		17.4		Α