Όλες οι κατηγορίες
ΣΥΝΔΕΘΕΙΤΕ ΜΑΖΙ ΜΑΣ
SiC MOSFET

Αρχική σελίδα /  Προϊόντα /  Συστατικά /  SiC MOSFET

1200V 40mΩ Γενιάς 2 Αυτοκινητιστικό SiC MOSFET

Εισαγωγή

Τόπος Προέλευσης: Σανγάι
Όνομα Εμπορικής Μάρκας: Inventchip Technology
Αριθμός Μοντέλου: IV2Q12040T4Z
Πιστοποίηση: AEC-Q101

Χαρακτηριστικά

  • 2nd Τεχνολογία Συνδρομής SiC MOSFET με

  • +15~+18V οδηγός πύλης

  • Υψηλή φραγμένη ένταση με χαμηλή αντίσταση ενεργοποίησης

  • Γρήγορη αλλαγή με χαμηλή ικανότητα

  • δυνατότητα λειτουργικής θερμοκρασίας σύνδεσης 175°C

  • Εξαιρετικά γρήγορος και δυνατός ενδογενής παραγωγικός διόδος

  • Είσοδος πύλης Kelvin επιτρέποντας εύκολη σχεδίαση κυκλώματος κιβώτιου

  • Προσαρμογή AEC-Q101

Εφαρμογές

  • Φορτωτές συσκευές EV και OBCs

  • Βολτάρισεις ηλιακών

  • Συμπιεστικά μετατροπείς για αυτοκίνητα

  • Διεφορικές παροχές δυναμικής μετατροπής AC/DC


Περίγραμμα:

image

Διάγραμμα Σημειώσεων:

image


Απόλυτες Μέγιστες Αξιώσεις (Tc=25°C εκτός εάν καθοριστεί διαφορετικά)

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα Συνθήκες Δοκιμασίας Σημείωση
VDS Τασή Drain-Source 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Προσωρινό) Μέγιστη παράκλαδη τάση -10 έως 23 V Διαδρομή κύκλου <1%, και πλάτος χτύπηματος <200ns
VGSon Συστεματική θέση ενεργοποίησης 15 έως 18 V
VGSoff Συστεματική θέση απενεργοποίησης -5 έως -2 V Τυπική -3.5V
Δ.Μ. Ρεύμα δρενού (συνεχές) 65 Α VGS =18V, TC =25°C Σχήμ. 23
48 Α VGS =18V, TC =100°C
IDM Ρεύμα δρενού (διακοπτό) 162 Α Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C) Σχήμ. 25, 26
ISM Ρεύμα διόδου σώματος (διακοπτό) 162 Α Πλάτος συγκρούσης περιορίζεται από την SOA και τη δυναμική Rθ(J-C) Σχήμ. 25, 26
Ptot Συνολική διαφορά ενέργειας 375 W ΤΚ = 25°C Σχ. 24
Tstg Πεδίο θερμοκρασίας αποθήκευσης -55 μέχρι 175 °C
Tj Λειτουργική θερμοκρασία σύνδεσης -55 μέχρι 175 °C
TL Θερμοκρασία κολλώσεως 260 °C επιτρέπεται κολλώση μόνο στα πόδια, 1.6mm από το κελίσμα για 10 δευτερόλεπτα


Θερμικά δεδομένα

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα Σημείωση
Rθ(J-C) Θερμική Αντίσταση από το Διαφυγέιο στη Περίβλεψη 0.4 °C/W Σχ. 25


Ηλεκτρικές Παραμέτρους (TC =25°C εάν διαφορετικά δεν καθοριστεί)

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα Συνθήκες Δοκιμασίας Σημείωση
Ελάχιστο. Τυπικά Μέγ.
IDSS Ένδιαφερούς ρεύματος κατόπιν με μηδενική τάση πύλης 5 100 μΑ VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Ρεύμα εξαγωγής πύλης ±100 οΧΙ VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Υποθεσμιαία ηλεκτροφορικότητα πύλης 1.8 2.8 4.5 V VGS =VDS , ID =9mA Σχήμ. 8, 9
2.1 VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C
Τράβα Στατική οχυρό-πηγής αντίσταση 40 52 VGS =18V, ID =20A @TJ =25°C Σχ. 4, 5, 6, 7
75 VGS =18V, ID =20A @TJ =175°C
50 65 VGS =15V, ID =20A @TJ =25°C
80 VGS =15V, ID =20A @TJ =175°C
Ciss Εισαγωγική ικανότητα 2160 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Σχ. 16
Coss Έξοδος ικανότητας 100 pF
Crss Αντίστροφη χαμηλή διελκτικότητα 5.8 pF
Eoss Ενέργεια που αποθηκεύεται στο Coss 40 μJ Κάν. 17
Qg Συνολικό φορτίο πύλης 110 nC VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 έως 18V Κάν. 18
Qgs Φορτίο πύλης-πηγής 25 nC
Qgd Φορτίο πύλης-διακόμβων 59 nC
Rg Αντίσταση εισόδου πύλης 2.1 ω f=1MHz
EON Ενέργεια κατά την ανάπτυξη 446.3 μJ VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 έως 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25°C Σχήμα 19, 20
EOFF Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης 70.0 μJ
td(εν) Χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης 9.6 nS
τΡ Χρόνος ανύψωσης 22.1
td(απ) Χρόνος καθυστέρησης απενεργοποίησης 19.3
tF Χρόνος πτώσης 10.5
EON Ενέργεια κατά την ανάπτυξη 644.4 μJ VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 έως 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C Σχήμ. 22
EOFF Ενέργεια κατά συνδεσμού απενεργοποίησης 73.8 μJ


Χαρακτηριστικά αναστροφής διόδου (TC =25。C εκτός αν άλλως καθοριστεί)

Σύμβολο Παράμετρος Αξία Μονάδα Συνθήκες Δοκιμασίας Σημείωση
Ελάχιστο. Τυπικά Μέγ.
VSD Στροφική ένταση διόδου 4.2 V ISD =20A, VGS =0V Σχ. 10, 11, 12
4.0 V ISD =20A, VGS =0V, TJ =175°C
IS Στροφική ένταση διόδου (συνεχής) 63 Α VGS =-2V, TC =25°C
36 Α VGS =-2V, TC=100°C
trr Χρόνος ανάκτησης αντίστροφης 42.0 nS VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Φόρτιο ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση 198.1 nC
IRRM Ακμαïκή ένδοξη ρεύματος ανάκαμψης σε αντίστροφη κατεύθυνση 17.4 Α


Τυπική Απόδοση (καμπύλες)

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

image

Στοιχεία πακέτου

imageimage

imageimage

Σημείωμα:

1. Αναφορά Εξωτερικού: JEDEC TO247, Μεταβλητή AD

2. Όλες οι Διαστάσεις είναι σε mm

3. Απαιτείται Διάστημα, η Κοιλία μπορεί να Είναι Στρογγυλωμένη

4. Η Διάσταση D&E Δεν Περιλαμβάνει Το Mold Flash

5. Υπόκειται σε αλλαγές χωρίς προειδοποίηση


ΣΧΕΤΙΚΟ ΠΡΟΪΟΝ