1200V 160mΩ Gen2 Automotriz SiC MOSFET

Características

Aplicaciones

Esquema:

Diagrama de marcado:

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	Tensión máxima en CC	-5 a 20	V	Estatico (CC)
VGSmax (Pico)	Voltaje de pico máximo	-10 a 23	V	Ciclo de trabajo <1%, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	18±0.5	V
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	V
ID	Corriente del drenador (continua)	19	A. El	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A. El	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	47	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA	Fig. 26
Ptot	Disipación total de potencia	136	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C
ES	Temperatura de soldadura	260	°C	soldering only allowed at leads, 1.6mm from case for 10 s

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Nota
Rθ(J-C)	Resistencia térmica desde la unión hasta el caso	1.1	°C/W	Fig. 25

Características Eléctricas (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
		Mín.	Es el tipo.	Máx.
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		5	100	mA	VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
¿ Qué pasa?	Resistencia estática de drenaje-fuente encendida		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Capacidad de entrada		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacidad de salida		34		pF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		2.3		pF
Eoss	Energía almacenada en Coss		14		μJ		Fig. 17
El número de	Carga total de la puerta		29		nC	VDS = 800V, ID = 10A, VGS = -3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		6.6		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		14.4		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		10		ω	f=1MHz
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		22		μJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		2.5		el Consejo
tr	Tiempo de ascenso		9.5
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		7.3
tF	Tiempo de caída		11.0
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Fig. 22
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		19		μJ

Características del diodo inverso (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tiempo de recuperación inversa		26		el Consejo	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		92		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		10.6		A. El