siC MOSFET Gen2 Automotriz de 1200V 30mΩ

Características

Aplicaciones

Esquema:

Diagrama de marcado:

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C salvo que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (CC)	Tensión máxima en CC	-5 a 20	V	Estatico (CC)
VGSmax (Pico)	Voltaje de pico máximo	-10 a 23	V	Ciclo de trabajo <1%, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje de encendido recomendado	18±0.5	V
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	V
ID	Corriente del drenador (continua)	79	A. El	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A. El	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	198	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA	Fig. 26
Ptot	Disipación total de potencia	395	W	TC =25°C	Fig. 24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-55 a 175	°C
Tj	Temperatura de unión operativa	-55 a 175	°C
ES	Temperatura de soldadura	260	°C	soldering only allowed at leads, 1.6mm from case for 10 s

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Nota
Rθ(J-C)	Resistencia térmica desde la unión hasta el caso	0.38	°C/W	Fig. 23

Características Eléctricas (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		5	100	mA	VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Voltagem de umbral de la puerta		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
¿ Qué pasa?	Resistencia estática de drenaje-fuente encendida		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Fig. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Capacidad de entrada		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacidad de salida		140		pF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		7.7		pF
Eoss	Energía almacenada en Coss		57		μJ		Fig. 17
El número de	Carga total de la puerta		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 a 18V	Fig. 18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		36.8		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		45.3		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		2.3		ω	f=1MHz
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 a 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Fig. 19, 20
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		118.0		μJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		15.4		el Consejo
tr	Tiempo de ascenso		24.6
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		28.6
tF	Tiempo de caída		13.6

Características del diodo inverso (TC =25。C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
El símbolo	Parámetro	Mín.	Es el tipo.	Máx.	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Fig. 10, 11, 12
trr	Tiempo de recuperación inversa		54.8		el Consejo	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		470.7		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		20.3		A. El