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Módulo de SiC

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Módulo de SiC

1200V 25mohm MÓDULO SiC Controladores de motores

Introducción

Lugar de Origen: Zhejiang
Nombre de la Marca: Inventchip Technology
Número de Modelo: IV1B12025HC1L
Certificación: AEC-Q101


Características

  • Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido

  • Conmutación rápida con baja capacitancia

  • Alta capacidad de temperatura de unión operativa

  • Diodo intrínseco muy rápido y robusto


Aplicaciones

  • Aplicaciones solares

  • Sistema UPS

  • Conducidores de automóviles

  • Convertidores DC/DC de alta tensión


Paquete

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Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro Valor Unidad Condiciones de ensayo Nota
VDS Voltaje de drenaje-fuente 1200 V VGS =0V, ID =200μA
VGSmax (CC) Tensión máxima en CC -5 a 22 V Estatico (CC)
VGSmax (Pico) Voltaje de pico máximo -10 a 25 V <1% ciclo de trabajo, y ancho de pulso <200ns
VGSon Voltaje recomendado para encendido 20±0.5 V
VGSoff Voltaje de apagado recomendado -3.5 a -2 V
ID Corriente del drenador (continua) 74 A. El VGS =20V, TC =25°C
50 A. El VGS =20V, TC =94°C
IDM Corriente del drenador (pulsada) 185 A. El Anchura de pulso limitada por SOA Fig.26
Ptot Disipación total de potencia 250 W TC =25°C Fig.24
TSTG Rango de Temperatura de Almacenamiento -40 a 150 °C
Tj Temperatura máxima del junta virtual bajo condiciones de conmutación -40 a 150 °C Operación
-55 a 175 °C Intermitente con vida útil reducida


Datos térmicos

El símbolo Parámetro Valor Unidad Nota
Rθ(J-C) Resistencia térmica desde la unión hasta el caso 0.5 °C/W Fig.25


Características Eléctricas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro Valor Unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
IDSS Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta 10 200 mA VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS Corriente de fuga de la puerta 2 ±200 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Voltagem de umbral de la puerta 3.2 V VGS=VDS , ID =12mA Fig.9
2.3 VGS=VDS , ID =12mA @ TC =150。C
¿ Qué pasa? Resistencia estática de drenaje-fuente encendida 25 33 VGS =20V, ID =40A @TJ =25。C Fig.4-7
36 VGS =20V, ID =40A @TJ =150。C
Ciss Capacidad de entrada 5.5 nF (número de trabajo) VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV Fig.16
Coss Capacidad de salida 285 pF
Crss Capacidad de transferencia inversa 20 pF
Eoss Energía almacenada en Coss 105 μJ Fig.17
El número de Carga total de la puerta 240 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-5 a 20V Fig.18
Qgs Carga de la puerta-fuente 50 nC
Qgd Carga de la puerta-drenador 96 nC
Rg Resistencia de entrada de la puerta 1.4 ω f=100kHZ
El EON Energía de Conmutación de Encendido 795 μJ VDS =600V, ID =50A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH Fig.19-22
El número de personas Energía de Conmutación de Apagado 135 μJ
en el momento en que se inicia Tiempo de retraso de encendido 15 el Consejo
tr Tiempo de ascenso 4.1
el número de teléfono Tiempo de retraso de apagado 24
tF Tiempo de caída 17
LsCE Inductividad de alejamiento 8.8 nH


Características del diodo inverso (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo Parámetro Valor Unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
VSD Voltado del diodo hacia adelante 4.9 V ISD =40A, VGS =0V Fig.10- 12
4.5 V ISD =40A, VGS =0V, TJ =150°C
trr Tiempo de recuperación inversa 18 el Consejo VGS =-5V/+20V, ISD =50A, VR =600V, di/dt=14.29A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
¿Qué es eso? Carga de Recuperación Inversa 1068 nC
MIRR Corriente de recuperación inversa pico 96.3 A. El


Características del Termistor NTC

El símbolo Parámetro Valor Unidad Condiciones de ensayo Nota
Mín. Es el tipo. Máx.
RNTC Resistencia nominal 5 TNTC = 25℃ Fig. 27
δR/R Tolerancia de Resistencia a 25℃ -5 5 %
β25/50 Valor Beta 3380 K ±1%
Pmax Disipación de potencia 5 mW


Rendimiento típico (curvas)

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Dimensiones del Envoltorio (mm)

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Notas


Para más información, por favor contacte la Oficina de Ventas de IVCT.

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http://www.inventchip.com.cn


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