IV1B12013HA1L – 1200V 13mohm MÓDULO SiC Solar

Lugar de Origen:	Zhejiang
Nombre de la Marca:	Inventchip Technology
Número de Modelo:	IV1B12013HA1L
Certificación:	AEC-Q101

Características

• Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido

• Conmutación rápida con baja capacitancia

• Alta capacidad de temperatura de unión operativa

• Diodo intrínseco muy rápido y robusto

Aplicaciones

• Aplicaciones solares

• Sistema UPS

• Conducidores de automóviles

• Convertidores DC/DC de alta tensión

Paquete

Diagrama de Marcado

Clasificaciones máximas absolutas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
VDS	Voltaje de drenaje-fuente	1200	V
VGSmax (CC)	Tensión máxima en CC	-5 a 22	V	Estatico (CC)
VGSmax (Pico)	Voltaje de pico máximo	-10 a 25	V	<1% ciclo de trabajo, y ancho de pulso <200ns
VGSon	Voltaje recomendado para encendido	20±0.5	V
VGSoff	Voltaje de apagado recomendado	-3.5 a -2	V
ID	Corriente del drenador (continua)	96	A. El	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤150℃
		102	A. El	VGS =20V, Th =50°C, Tvj≤175℃
IDM	Corriente del drenador (pulsada)	204	A. El	Anchura de pulso limitada por SOA	Fig.26
Ptot	Disipación total de potencia	210	W	Tvj≤150℃	Fig.24
TSTG	Rango de Temperatura de Almacenamiento	-40 a 150	°C
Tj	Temperatura máxima del junta virtual bajo condiciones de conmutación	-40 a 150	°C	Operación
		-55 a 175	°C	Intermitente con vida útil reducida

Datos térmicos

El símbolo	Parámetro	Valor	Unidad	Nota
Rθ(J-H)	Resistencia térmica desde la junta hasta el disipador de calor	0.596	°C/W	Fig.25

Características Eléctricas (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
		Mín.	Es el tipo.	Máx.
IDSS	Corriente de drenaje a voltaje cero de la puerta		10	200	mA	VDS = 1200V, VGS = 0V
IGSS	Corriente de fuga de la puerta			±200	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Voltagem de umbral de la puerta	1.8	3.2	5	V	VGS=VDS , ID =24mA	Fig.9
			2.3			VGS=VDS , ID =24mA @ TC =150。C
¿ Qué pasa?	Resistencia de drenaje-fuente estática en estado de encendido		12.5	16.3	mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =25。C	Fig.4-7
			18		mΩ	VGS =20V, ID =80A @TJ =150。C
Ciss	Capacidad de entrada		11		nF (número de trabajo)	VDS=800V, VGS =0V, f=100kHZ , VAC =25mV	Fig.16
Coss	Capacidad de salida		507		pF
Crss	Capacidad de transferencia inversa		31		pF
Eoss	Energía almacenada en Coss		203		μJ		Fig.17
El número de	Carga total de la puerta		480		nC	VDS =800V, ID =80A, VGS =-5 a 20V	Fig.18
Qgs	Carga de la puerta-fuente		100		nC
Qgd	Carga de la puerta-drenador		192		nC
Rg	Resistencia de entrada de la puerta		1.0		ω	f=100kHZ
El EON	Energía de Conmutación de Encendido		783		μJ	VDS =600V, ID =60A, VGS=-5 a 20V, RG(ext)on/ RG(ext)off =2.5Ω/1.43Ω, L=120μH	Fig.19-22
El número de personas	Energía de Conmutación de Apagado		182		μJ
en el momento en que se inicia	Tiempo de retraso de encendido		30		el Consejo
tr	Tiempo de ascenso		5.9
el número de teléfono	Tiempo de retraso de apagado		37
tF	Tiempo de caída		21
LsCE	Inductividad de alejamiento		7.6		nH

Características del diodo inverso (TC=25°C a menos que se especifique lo contrario)

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
		Mín.	Es el tipo.	Máx.
VSD	Voltado del diodo hacia adelante		4.9		V	ISD =80A, VGS =0V	Fig.10- 12
			4.5		V	ISD =80A, VGS =0V, TJ =150°C
trr	Tiempo de recuperación inversa		17.4		el Consejo	VGS =-5V/+20V, ISD =60A, VR =600V, di/dt=13.28A/ns, RG(ext) =2.5Ω, L=120μH
¿Qué es eso?	Carga de Recuperación Inversa		1095		nC
MIRR	Corriente de recuperación inversa pico		114		A. El

Características del Termistor NTC

El símbolo	Parámetro	Valor			Unidad	Condiciones de ensayo	Nota
		Mín.	Es el tipo.	Máx.
RNTC	Resistencia nominal		5		kΩ	TNTC = 25℃	Fig. 27
δR/R	Tolerancia de Resistencia a 25℃	-5		5	%
β25/50	Valor Beta		3380		K	±1%
Pmax	Disipación de potencia		5		mW

Rendimiento típico (curvas)

         

Dimensiones del Envoltorio (mm)