موسفت SiC

ترانزیستور SiC خودرویی نسل دوم 1200V 40mΩ

مقدمه

محل اصل:	شانگهای
نام برند:	تکنولوژی اینونتچیپ
شماره مدل:	IV2Q12040T4Z
گواهینامه:	AEC-Q101

ویژگی ها

2^وتکنولوژی موسمفت SiC نسل جدید با
+15~+18V درایور گیت
بلوک ولتاژ بالا با مقاومت روشن کم
سوئیچینگ سریع با ظرفیت کم
توانایی دمای اتصال 175 درجه سانتیگراد
دیود بدنه داخلی فوق سریع و قوی
ورودی دروازه کلوین که طراحی مدار راننده را آسان می‌کند
مطابق با استاندارد AEC-Q101

کاربردها

شارژرهای EV و OBC‌ها
بستنی‌کننده‌های خورشیدی
معکوس‌کننده‌های فشرده‌کننده خودرو
منابع تغذیه قدرت AC/DC

خط مشی:

نمودار نشانه گذاری:

معیارهای حداکثر مطلق (Tc=25°C مگر اینکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VDS	ولتاژ منبع-درین	1200	ولت	VGS =0V، ID =100μA
VGSmax (موقتی)	بیشترین ولتاژ موقت	-10 تا 23	ولت	دuty cycle<1٪ و عرض پالس<200ns
VGSon	ولتاژ روشن کردن پیشنهادی	15 تا 18	ولت
VGSoff	ولتاژ خاموش کردن پیشنهادی	-5 تا -2	ولت	معمولاً -3.5V
Id	جریان صرف (پیوسته)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	شکل 23
Id	جریان صرف (پیوسته)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	شکل 23
IDM	جریان صرف (پالسی)	162	A	عرض پالس محدود شده توسط SOA و Rθ(J-C) دینامیکی	شکل 25، 26
ISM	جریان دیود بدن (پالسی)	162	A	عرض پالس محدود شده توسط SOA و Rθ(J-C) دینامیکی	شکل 25، 26
Ptot	مقدار کل تابش قدرت	375	W	TC = 25 درجه سانتیگراد	شکل 24
Tstg	محدوده دمای ذخیره سازی	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
Tj	دماي عملکرد جوشکاری	-55 تا 175	درجه سانتی گراد
TL	دمای جوشکاری	260	درجه سانتی گراد	جوشکاری موجی فقط در پین‌ها اجازه داده شده است، 1.6 میلیمتر از بدن قطعه برای 10 ثانیه

اطلاعات گرمایی

نماد	پارامتر	ارزش	واحد	یادداشت
Rθ(J-C)	مقاومت گرمایی از مفصل تا کasu	0.4	°C/W	شکل 25

ویژگی‌های برقی (TC = 25°C مگر آنکه مشخص شده باشد)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
IDSS	جریان درن تحت ولتاژ صفر در Gat		5	100	میکروآمپر	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	جریان رشته گیت			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	ولتاژ آستانه گیت	1.8	2.8	4.5	ولت	VGS =VDS ، ID =9mA	شکل 8، 9
VTH	ولتاژ آستانه گیت		2.1			VGS =VDS ، ID =9mA @ TJ =175.°C	شکل 8، 9
رون	مقاومت استاتیک بین درن و سورس در حالت روشن		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25.С	شکل 4، 5، 6، 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175.С
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25.С
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175.С
Ciss	ظرفیت ورودی		2160		pf	VDS=800V، VGS =0V، f=1MHz، VAC=25mV	شکل 16
Coss	ظرفیت خروجی		100		pf
Crss	ظرفیت انتقال معکوس		5.8		pf
Eoss	انرژی ذخیره شده در Coss		40		میکرو جول		شکل 17
Qg	بار کل گیت		110		nC	VDS =800V، ID =30A، VGS =-3 تا 18V	شکل 18
Qgs	بار بین دروازه و منبع		25		nC
Qgd	بار بین دروازه و دrain		59		nC
Rg	مقاومت ورودی دروازه		2.1		ω	f=1MHz
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		446.3		میکرو جول	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 تا 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	شکل ۱۹، ۲۰
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		70.0		میکرو جول
td(on)	زمان تاخیر روشن شدن		9.6		نانو ثانیه
tR	زمان صعود		22.1
td(off)	زمان تاخیر خامosh شدن		19.3
tF	زمان نزول		10.5
EON	انرژی جابجایی روشن شدن		644.4		میکرو جول	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 تا 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175. C	شکل 22
EOFF	انرژی جابه‌جایی خاموش شدن		73.8		میکرو جول		شکل 22

ویژگی‌های دیود معکوس (مگر اینکه به طور خاص مشخص شده باشد، TC =25. C)

نماد	پارامتر	ارزش			واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
نماد	پارامتر	کمینه	معمولاً	مکس	واحد	شرایط آزمایش	یادداشت
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.2		ولت	ISD =20A, VGS =0V	شکل 10، 11، 12
VSD	ولتاژ جلوگیر دیود		4.0		ولت	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175. C	شکل 10، 11، 12
آی اس	جریان پیش رو دیود (پیوسته)			63	A	VGS =-2V, TC =25.°C
آی اس	جریان پیش رو دیود (پیوسته)			36	A	VGS =-2V, TC=100.°C
trr	زمان بازیابی معکوس		42.0		نانو ثانیه	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	بار بازیابی معکوس		198.1		nC
IRRM	جریان بازیابی معکوس پیک		17.4		A