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MOSFET SiC

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MOSFET SiC automobile Gen1200, 160 V, 2 mΩ
MOSFET SiC automobile Gen1200, 160 V, 2 mΩ

MOSFET SiC automobile Gen1200, 160 V, 2 mΩ

  • Introduction

Introduction

Lieu d'origine:Zhejiang
Nom de marque:Inventer la technologie des puces
Numéro de modèle:IV2Q12160T4Z
Attestation:AEC-Q101


Quantité minimum:450PCS
Prix:
Détails de l'emballage:
Délai de livraison :
Conditions de paiement:
Capacité d'approvisionnement:


Caractéristiques

  • Technologie SiC MOSFET de 2e génération avec commande de grille +18 V

  • Tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant

  • Commutation haute vitesse avec faible capacité

  • Capacité de température de jonction élevée

  • Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste

  • Entrée de porte Kelvin facilitant la conception du circuit de commande


Applications

  • Convertisseurs DC/DC automobiles

  • Chargeurs embarqués

  • Onduleurs solaires

  • Conducteurs de moteur

  • Onduleurs de compresseur automobile

  • Alimentations à découpage


Aperçu:

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Diagramme de marquage :

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Cotes maximales absolues(TC=25°C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
SDVTension drain-source1200VVGS = 0 V, ID = 100 μA
VGSmax (DC)Tension CC maximale-5 à 20VStatique (CC)
VGSmax (Pointe)Tension de pointe maximale-10 à 23VCycle de service <1 % et largeur d'impulsion <200 ns
VGSonTension d'activation recommandée18 0.5 ±V
VGSoffTension de coupure recommandée-3.5 à -2V
IDCourant de drain (continu)19AVGS =18V, TC =25°CFig. 23
14AVGS =18V, TC =100°C
IDMCourant de drain (pulsé)47ALargeur d'impulsion limitée par SOAFig. 26
PTOTDissipation de puissance totale136WCT =25°CFig. 24
TSTGPlage de température de stockage-55 à 175° C
TJTempérature de jonction de fonctionnement-55 à 175° C
TLTempérature de soudure260° Csoudure à la vague autorisée uniquement au niveau des fils, à 1.6 mm du boîtier pendant 10 s


Données thermiques

SymboleParamètreValeurUnitéNotes
Rθ(JC)Résistance thermique de la jonction au boîtier1.1° C / WFig. 25


Caractéristiques électriques(TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
IDSSCourant de drain de tension de grille nulle5100AVDS = 1200 V, VGS = 0 V
IGSSCourant de fuite de porte± 100nAVDS = 0 V, VGS = -5 ~ 20 V
VTH CARTETension de seuil de porte1.82.84.5VVGS = VDS, ID = 2 mAFigures 8, 9
2.1VGS = VDS, ID = 2 mA @ TJ = 175.C
RONSource de drain statique activée - résistance160208mVGS = 18 V, ID = 5 A @TJ = 25.CFigures 4, 5, 6, 7
285mVGS = 18 V, ID = 5 A @TJ = 175.C
CissCapacité d'entrée575pFVDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mVFig. 16
cossCapacité de sortie34pF
CRSSCapacité de transfert inverse2.3pF
EosCoût de l'énergie stockée14µJFig. 17
QgFrais d'entrée totaux29nCVDS =800V, ID =10A, VGS =-3 à 18VFig. 18
QgsCharge porte-source6.6nC
QgdCharge porte-vidange14.4nC
RgRésistance d'entrée de porte10Ωf=1 MHz
EONÉnergie de commutation d'activation115µJVDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V,    RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。CFigures 19, 20
EOFFCouper l'énergie de commutation22µJ
td(on)Délai de mise en marche2.5ns
trTemps de montée9.5
td (off)Délai de désactivation7.3
tfTemps de chute11.0
EONÉnergie de commutation d'activation194µJVDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。CFig. 22
EOFFCouper l'énergie de commutation19µJ


Caractéristiques des diodes inverses(TC = 25.C sauf indication contraire)

SymboleParamètreValeurUnitéConditions d'essaiNotes
Min.Taper.Max.
VSDTension directe de la diode4.0VISD = 5A, VGS = 0VFigures 10, 11, 12
3.7VISD = 5A, VGS = 0V, TJ = 175.C
trrTemps de récupération inversé26nsVGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω  L=300μH di/dt=3000A/μs
QrrFrais de recouvrement inversés92nC
IRRMCourant de récupération inverse de pointe10.6A


Performance typique (courbes)

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PRODUIT CONNEXE