सिलिकॉन कार्बाइड एसबीडी

1200V 40A ऑटोमोबाइल SiC Schottky डायोड

परिचय

उत्पत्ति स्थान:	झेजियांग
ब्रांड नाम:	इनवेंटचिप टेक्नोलॉजी
मॉडल नंबर:	IV1D12040U3Z
प्रमाणन:	AEC-Q101 योग्य

न्यूनतम पैकिंग मात्रा:	450 पीस
मूल्य:
पैकेजिंग विवरण:
डिलीवरी का समय:
भुगतान की शर्तें:
आपूर्ति क्षमता:

विशेषताएँ

अधिकतम जंक्शन तापमान 175°C
उच्च अतिरिक्त विद्युत प्रवाह क्षमता
शून्य प्रतिगामी पुनर्स्थापना धारा
शून्य आगे की ओर पुनर्स्थापना वोल्टेज
उच्च-बारंबार संचालन
तापमान से स्वतंत्र स्विचिंग व्यवहार
VF पर सकारात्मक तापमान गुणांक
AEC-Q101 योग्य

अनुप्रयोग

ऑटोमोबाइल इन्वर्टर मुक्त पहिया डायोड
EV चार्जर पाइल
वियना 3-फ़ेज पावर फ़ैक्टर कोरेशन
सोलर पावर बूस्ट
स्विच मोड पावर सप्लाइज

आउटलाइन

चित्र

चिह्नित रेखाचित्र

चित्र

पूर्णतः अधिकतम मूल्य (Tc=25°C जब तक अन्यथा न तक्षण)

प्रतीक	पैरामीटर	मूल्य	इकाई
VRRM	उल्टा वोल्टेज (पुनरावर्ती शिखर)	1200	V
वीडीसी	DC ब्लॉकिंग वोल्टेज	1200	V
अगर	आगे बहने वाला धारा (निरंतर) @Tc=25°C	54*	ए
	आगे बहने वाली धारा (निरंतर) @Tc=135°C	28*	ए
	आगे बहने वाली धारा (निरंतर) @Tc=151°C	20*	ए
IFSM	आगे बहने वाली धारा की चोटीली स्थिति में अप्रत्यक्ष धारा साइन आधा तरंग @Tc=25°C tp=10ms	140*	ए
IFRM	आवर्ती आगे का बढ़ता सर्ज (फ्रिक्वेंसी=0.1हर्ट्स, 100चक्र) साइन हाफवेव @Tamb =25°C tp=10ms	115*	ए
Ptot	कुल शक्ति विभवन @ Tc=25°C	272*	व
	कुल शक्ति विभवन @ Tc=150°C	45*
	I2t मान @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
परीक्षण	भंडारण तापमान सीमा	-55 से 175	°C
Tj	चालू जंक्शन तापमान का परिसर	-55 से 175	°C

*प्रति पैर

अधिकतम रेटिंग तालिका में सूचीबद्ध होने वाली सीमाओं से अधिक तनाव उपकरण को क्षति पहुँचा सकते हैं। यदि इनमें से कोई भी सीमा पारित हो जाती है, तो उपकरण की कार्यक्षमता मानी नहीं जानी चाहिए, क्षति हो सकती है और विश्वसनीयता प्रभावित हो सकती है।

कार्यक्षमता मानी नहीं जानी चाहिए, क्षति हो सकती है और विश्वसनीयता प्रभावित हो सकती है।

विद्युत विशेषताएँ

प्रतीक	पैरामीटर	टाइप.	मैक्स.	इकाई	परीक्षण प्रतिबंध	नोट
VF	अग्रभाग वोल्टेज	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	आकृति। 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
वायु	विपरीत धारा	10*	200*	μA	वीआर = 1200 वोल्ट टीजे =25°C	आकृति 2
		45*	800*		वीआर = 1200 वोल्ट टीजे =175°C
सी	कुल क्षमता	1114*		पीएफ	वीआर = 1 वोल्ट, टीजे = 25°C, एफ = 1 मेगाहर्ट्ज	आकृति 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	कुल धारिता आवेश	107*		एन.सी.	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	चित्र 4
Ec	धारिता ऊर्जा	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	आकृति 5

*प्रति पैर

तापीय विशेषताएँ (प्रति पैर)

प्रतीक	पैरामीटर	टाइप.	इकाई	नोट
Rth(j-c)	जंक्शन से केस तक तापीय प्रतिरोध	0.55	°C/W	आकृति 7