1700V 1000mΩ SiC MOSFET सोलर इनवर्टर

उत्पत्ति स्थान:	झेजियांग
ब्रांड नाम:	इनवेंटचिप टेक्नोलॉजी
मॉडल नंबर:	IV2Q171R0D7Z
प्रमाणन:	AEC-Q101 योग्य

विशेषताएँ

• दूसरी पीढ़ी का SiC MOSFET तकनीक युक्त +15~+18V गेट ड्राइव

• उच्च रोकथाम वोल्टेज के साथ कम ऑन-प्रतिरोध

• कम धारिता के साथ उच्च गति का स्विचिंग

• 175℃ चालू संयोजन तापमान क्षमता

• अति तेज और मजबूत अंतर्निहित शरीर डायोड

• ड्राइवर सर्किट डिज़ाइन को आसान बनाने वाला केल्विन गेट इनपुट

• AEC-Q101 योग्य

अनुप्रयोग

• सोलर इन्वर्टर

• सहायक पावर सप्लाई

• स्विच मोड पावर सप्लाइज

• स्मार्ट मीटर

आउटलाइन:

 

मार्किंग डायग्राम:

पूर्णतः अधिकतम मूल्य (Tc=25°C जब तक अन्यथा न तक्षण)

प्रतीक	पैरामीटर	मूल्य	इकाई	परीक्षण प्रतिबंध	नोट
VDS	ड्रेन-सोर्स वोल्टेज	1700	V	VGS =0V, ID =10μA
VGSmax (अनिश्चित)	अधिकतम स्पाइक वोल्टेज	-10 से 23	V	ड्यूटी साइकिल <1%, और पल्स चौड़ाई<200ns
VGSon	प्रस्तावित चालू करने का वोल्टेज	15 से 18	V
VGSoff	प्रस्तावित बंद करने का वोल्टेज	-5 से -2	V	टाइपिकल मान -3.5V
ID	द्रेन धारा (निरंतर)	6.3	ए	VGS =18V, TC =25°C	आकृति 23
		4.8	ए	VGS =18V, TC =100°C
IDM	द्रेन धारा (पʌल्स)	15.7	ए	पʌल्स चौड़ाई SOA और डायनामिक Rθ(J-C) से सीमित	आकृति 25, 26
ISM	शरीर डायोड विद्युत (पल्स किया गया)	15.7	ए	पʌल्स चौड़ाई SOA और डायनामिक Rθ(J-C) से सीमित	आकृति 25, 26
Ptot	कुल शक्ति विभवन	73	व	TC =25°C	आंकड़ा। 24
परीक्षण	भंडारण तापमान सीमा	-55 से 175	°C
Tj	चालू जंक्शन तापमान	-55 से 175	°C

तापीय डेटा

प्रतीक	पैरामीटर	मूल्य	इकाई	नोट
Rθ(J-C)	जंक्शन से केस तक तापीय प्रतिरोध	2.05	°C/W	आरेख 25

विद्युत विशेषताएँ (TC =25°C जब तक अन्यथा न तकसीम किया गया हो)

प्रतीक	पैरामीटर	मूल्य			इकाई	परीक्षण प्रतिबंध	नोट
		न्यूनतम	टाइप.	मैक्स.
IDSS	शून्य गेट वोल्टेज ड्रेन धारा		1	10	μA	VDS =1700V, VGS =0V
IGSS	गेट रिसर्बल करंट			±100	na	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	गेट थ्रेशहोल्ड वोल्टेज	1.8	3.0	4.5	V	VGS =VDS , ID =380uA	आकृति 8, 9
			2.0		V	VGS =VDS , ID =380uA @ TJ =175°C
लोहा	स्थिर ड्रेन-सोर्स ऑन- प्रतिरोध		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C	आकृति। 4, 5, 6, 7
			950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID =1A @TJ =25°C @TJ =175°C
Ciss	इनपुट क्षमता		285		पीएफ	VDS =1000V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	आकृति। 16
Coss	आउटपुट धारिता		15.3		पीएफ
Crss	विपरीत ट्रांसफ़र धारिता		2.2		पीएफ
Eoss	Coss स्टोर्ड ऊर्जा		11		μJ		चित्र 17
Qg	कुल गेट आर्ज		16.5		एन.सी.	VDS =1000V, ID =1A, VGS =-5 से 18V	चित्र 18
Qgs	गेट-सोर्स चार्ज		2.7		एन.सी.
Qgd	गेट-ड्रेन चार्ज		12.5		एन.सी.
Rg	गेट इनपुट प्रतिरोध		13		ω	f=1MHz
EON	ऑन करने की स्विचिंग ऊर्जा		51.0		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V से 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=25°C	आकृति 19, 20
EOFF	बंद करने वाली स्विचिंग ऊर्जा		17.0		μJ
td(चालू)	चालू होने का देरी समय		4.8		nS
tr	बढ़ने का समय		13.2
td(बंद)	बंद होने का देरी समय		12.0
tF	गिरावट का समय		66.8
EON	ऑन करने की स्विचिंग ऊर्जा		90.3		μJ	VDS =1000V, ID =2A, VGS =-3.5V से 18V, RG(ext) =10Ω, L=2330μH Tj=175°C	आकृति 22

विपरीत डायोड विशेषताएँ (TC =25।C जहाँ तक निर्दिष्ट न हो)

प्रतीक	पैरामीटर	मूल्य			इकाई	परीक्षण प्रतिबंध	नोट
		न्यूनतम	टाइप.	मैक्स.
वीएसडी	डायोड अग्र वोल्टेज		4.0		V	ISD =1A, VGS =0V	आकृति 10, 11, 12
			3.8		V	ISD =1A, VGS =0V, TJ =175।C
IS	डायोड अग्र धारा (निरंतर)			11.8	ए	VGS =-2V, TC =25।C
				6.8	ए	VGS =-2V, TC=100।C
trr	विपरीत पुनर्ग्रहण समय		20.6		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =2A, VR =1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μ H di/dt=5000A/μs
Qrr	विपरीत पुनर्वापन आर्जित्र		54.2		एन.सी.
IRRM	शीर्ष विपरीत पुनर्वापन धारा		8.2		ए

प्रतिनिधित्वात्मक प्रदर्शन (वक्र)

 

पैकेजिंग आयाम

नोट:

1. पैकेज संदर्भ: JEDEC TO263, परिवर्तन AD

2. सभी माप mm में हैं

3. बिना पूर्व-सूचना के बदलने के लिए योग्य