1200V 160mΩ Gen2 automobilski SiC MOSFET

Minimalna količina narudžbe:	450 komada
Cijena:
Uređaj:
Vrijeme isporuke:
Plaćanja uvjeti:
Sposobnost opskrbe:

Značajke

Prijave

Prikaz:

Oznaka sheme:

Apsolutni maksimalni ratingi (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Parametar	Vrijednost	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VDS	Napon između odvodnika i izvora	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimalna DC napetost	-5 do 20	V	Statički (DC)
VGSmax (Spike)	Maksimalna pječuća napetost	-10 do 23	V	Ciklus obaveze<1%, i širina impulsa<200ns
VGSon	Preporučena uključiva napetost	18±0.5	V
VGSoff	Preporučena isključiva napetost	-3.5 do -2	V
Id	Struja drena (kontinuirano)	19	A.	VGS =18V, TC =25°C	Slika 23
		14	A.	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Struja drena (pulsirajuća)	47	A.	Duljina pulsa ograničena SOA	Slika 26
PTOT	Ukupna disipacija snage	136	W	TC = 25°C	Slika 24
Tstg	Razmak temperature skladištenja	-55 do 175	°C
TJ	Radna temperatura spoja	-55 do 175	°C
TL	Temperatura ljepljenja	260	°C	dopušteno je samo valno ljepljenje na voditelje, 1.6mm od omotača tijekom 10 s

Termički podaci

Sljedeći članak	Parametar	Vrijednost	Jedinica	Napomena
Rθ(J-C)	Termički otpor od spoja do omota	1.1	°C/W	Slika 25

Električne karakteristike (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Parametar	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
		Min.	Tip.	Maks.
IDSS	Struja na izlazu pri nuli na ulaznom voltu		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Struja promjera kapije			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Prag napona kapije	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Slika 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
RON	Statički otpor drena-izvora u stanju uključeno		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Slika 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Ulazna kapaciteta		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Slika 16
Coss	Izlazna kapacitetnost		34		pF
Crss	Obrnuta transferna kapacitetnost		2.3		pF
Eoss	Pohranjena energija u Coss		14		μJ		Slika 17
Qg	Ukupni naboj zateznika		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 do 18V	Slika 18
Qgs	Napojna struja između vrata i izvora		6.6		nC
Qgd	Napojna struja između vrata i drena		14.4		nC
Rg	Ulazni otpor vrata		10		ω	f=1MHz
EON	Energija prijelaza uključivanja		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25°C	Slika 19, 20
EOFF	Energija prijelaza isključivanja		22		μJ
td(uključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri uključivanju		2.5		nS
tR	Vrijeme rasta		9.5
td(isključivanje)	Vrijeme kašnjenja pri isključivanju		7.3
tF	Vrijeme pada		11.0
EON	Energija prijelaza uključivanja		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 do 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Slika 22
EOFF	Energija prijelaza isključivanja		19		μJ

Karakteristike obrnutog dioda (TC =25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Parametar	Vrijednost			Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
Sljedeći članak	Parametar	Min.	Tip.	Maks.	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VSD	Napojna napetost dioda		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Slika 10, 11, 12
VSD	Napojna napetost dioda		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175. C	Slika 10, 11, 12
trr	Vrijeme obrnute oporave		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Naboj obrnute oporave		92		nC
IRRM	Pikovni obrnuti tok oporave		10.6		A.