SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky dioda AC/DC pretvarači

Uvod

Mjesto podrijetla:	Zhejiang
Naziv marke:	Inventchip Technology
Broj modela:	IV1D12010T2
Certifikacija:

Najmanja količina pakiranja:	450 komada
Cijena:
Uređaj:
Vrijeme isporuke:
Plaćanja uvjeti:
Sposobnost opskrbe:

Značajke

Maksimalna spajalništa temperatura 175°C
Visoka kapacitet prehodnog struja
Nula obrnutog oporavnog struja
Nulta naprijed obnova napona
Operacija visokim frekvencijama
ponašanje prijelaza neovisno o temperaturi
Pozitivan temperature koeficijent na VF

Prijave

Povećanje snage sunčeve energije
Inverter Slobodnovrtne Dijode
Bečki 3-fazni PFC
Konverteri AC/DC
Napajanja u prekidnom režimu rada

Konturna linija

Oznaka sheme

Apsolutni maksimalni ratingi (TC=25°C osim ako nije drugačije navedeno)

Sljedeći članak	Parametar	Vrijednost	Jedinica
VRRM	Obrnuti napon (ponovljeni pik)	1200	V
VDC	Blokirajući DC napon	1200	V
Ako	Napredni strujni (kontinuirano) @Tc=25°C	30	A.
	Tokući strujni pravac (kontinuirano) @Tc=135°C	15.2	A.
	Naprijedni strujni tok (kontinuirano) @Tc=155°C	10	A.
IFSM	Povratni neponovljeni sinusni poluvijenak toka @Tc=25°C tp=10ms	72	A.
IFRM	Povratni ponovljeni sinusni poluvijenak toka (Frekvencija=0.1Hz, 100 ciklusa) @Tamb =25°C tp=10ms	56	A.
PTOT	Ukupna disipacija snage @ Tc=25°C	176	W
	Ukupna disipacija snage @ Tc=150°C	29
	I2t vrijednost @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Tstg	Razmak temperature skladištenja	-55 do 175	°C
TJ	Opseg radne temperaturne spojnice	-55 do 175	°C

Naprezanja koji premašuju one navedene u tablici maksimalnih ocjena mogu štetiti uređaju. Ako se bilo koja od ovih granica premaši, funkcionalnost uređaja ne smije se pretpostavljati, može doći do oštećenja i utjecati na pouzdanost.

Električne karakteristike

Sljedeći članak	Parametar	Tip.	Maks.	Jedinica	Uslovi testiranja	Napomena
VF	Napona u pravcu provođenja	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Slika 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Obrnuti strujni tok	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Slika 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Ukupna kapacitetnost	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Slika 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Ukupni kapacitivni naboj	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Slika 4
EC	Energija pohranjena u kapacitetu	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Slika 5