1200V 160mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET

Minimális Megrendelési Mennyiség:	450db
Ár:
A csomagolás részletei:
Szállítási idő:
Kifizetési feltételek:
Szállítási kapacitás:

Jellemzők

Alkalmazások

Vázlat:

Jelölési diagram:

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	1200	V.	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximális DC feszültség	-5 to 20	V.	Statikus (DC)
VGSmax (Spik)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 23	V.	Töltési arány<1%, és impulzus szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	18±0.5	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5 to -2	V.
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Ábr. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Csatott áram (impulzus)	47	A	Impulzus szélesség a SOA-től függ	Ábra 26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	136	W	TC =25°C	Ábr. 24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csomóponti hőmérséklet	-55 to 175	°C
TL	Sövődési hőmérséklet	260	°C	csak vezetéken engedélyezett hullámös sövő, 1.6mm a fedélztől 10 másodpercig

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	Megjegyzés
Rθ(J-C)	Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez	1.1	°C/W	Ábra 25

Elektromos jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
		Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség	1.8	2.8	4.5	V.	VGS =VDS , ID =2mA	Ábra 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175.°C
Ron	Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25.°C	Ábra 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175.°C
Ciss	Bevezető kapacitás		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		34		pF
Crss	Visszafordító kapacitás		2.3		pF
Eoss	Coss tárolt energia		14		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 to 18V	Ábr. 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		6.6		nC
Qgd	Csapó-drain töltés		14.4		nC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		10		ó	f=1MHz
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Ábr. 19, 20
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		22		μJ
tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		2.5		cs
tr	Felemelkedési idő		9.5
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		7.3
tf	Őszidő		11.0
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Ábr. 22
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		19		μJ

Fordított dió jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VSD	Diódás előrehajtás		4.0		V.	ISD =5A, VGS =0V	Ábr. 10, 11, 12
VSD	Diódás előrehajtás		3.7		V.	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Ábr. 10, 11, 12
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		26		cs	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		92		nC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		10.6		A