1200V 30mΩ Gen2 Autó SiC MOSFET

Jellemzők

Alkalmazások

Vázlat:

Jelölési diagram:

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C különleges megadás nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VDS	Dren-Sz supply feszültség	1200	V.	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maximális DC feszültség	-5 to 20	V.	Statikus (DC)
VGSmax (Spik)	Maximális csücsfeszültség	-10 to 23	V.	Töltési arány<1%, és impulzus szélesség<200ns
VGSon	Ajánlott bekapcsolási feszültség	18±0.5	V.
VGSoff	Ajánlott kikapcsolási feszültség	-3.5 to -2	V.
ID	Folyamatos áram (folyamatos)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Ábr. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Csatott áram (impulzus)	198	A	Impulzus szélesség a SOA-től függ	Ábra 26
Ptot	Összes teljesítményveszteség	395	W	TC =25°C	Ábr. 24
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csomóponti hőmérséklet	-55 to 175	°C
TL	Sövődési hőmérséklet	260	°C	csak vezetéken engedélyezett hullámös sövő, 1.6mm a fedélztől 10 másodpercig

Hőmérsékleti adatok

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység	Megjegyzés
Rθ(J-C)	Hőellenállás a csatolástól a fedélzéhez	0.38	°C/W	Ábr. 23

Elektromos jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
IDSS	Nulla kapu feszültségű drain áram		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	A kapu szivárgási áram			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség	1.8	2.8	4.5	V.	VGS=VDS , ID =12mA	Ábra 8, 9
VTH	A kapcsoló küszöbfeszültség		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Ábra 8, 9
Ron	Statikus forráshoz-visszavezetési bekapcsolási ellenállás		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Ábra 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Bevezető kapacitás		3000		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Ábra 16
Coss	Kibocsátási kapacitás		140		pF
Crss	Visszafordító kapacitás		7.7		pF
Eoss	Coss tárolt energia		57		μJ		Ábra 17
Qg	Teljes kapcsoló töltés		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 to 18V	Ábr. 18
Qgs	Csapó-forrás töltés		36.8		nC
Qgd	Csapó-drain töltés		45.3		nC
Rg	Csapó bemeneti ellenállás		2.3		ó	f=1MHz
EON	Kapcsolási Energia Bekapcsoláskor		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 to 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25°C	Ábr. 19, 20
EOFF	Kapcsolási Energia Kikapcsoláskor		118.0		μJ
tg ((on)	Beállítási késleltetési idő		15.4		cs
tr	Felemelkedési idő		24.6
csv (ki)	A kikapcsoló késleltetési idő		28.6
tf	Őszidő		13.6

Fordított dió jellemzők (TC =25. C kivéve, ha más meg van adva)

Szimbólum	Paraméter	Érték			Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
Szimbólum	Paraméter	Min.	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VSD	Diódás előrehajtás		4.2		V.	ISD =30A, VGS =0V	Ábr. 10, 11, 12
VSD	Diódás előrehajtás		4.0		V.	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Ábr. 10, 11, 12
trr	Visszafelé Helyreállító Idő		54.8		cs	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Visszafelé Helyreállító Töltés		470.7		nC
IRRM	Csúcsos fordított helyreálló áram		20.3		A