SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Dioda AC/DC Átalakítók

Bevezetés

Származási hely:	Zhejiang
Márkaneve:	Inventchip Technology
Modell száma:	IV1D12010T2
Tanúsítvány:

Minimális csomagolási mennyiség:	450db
Ár:
A csomagolás részletei:
Szállítási idő:
Kifizetési feltételek:
Szállítási kapacitás:

Jellemzők

Maximális csatlakozási hőmérséklet 175°C
Magas túlzó áramkapacitás
Nulla visszafelé haladó áram
Nulla előrefelé való helyreálló feszültség
Magasfrekvenciás működés
hőmérséklettől független kapcsolási viselkedés
Pozitív hőmérsékleti együttható az VF-n

Alkalmazások

Napenergia Teljesítmény Növelés
Inverter Szabadkerékvázió Diodák
Bécs 3-fázisú PFC
AC/DC Átalapítók
Váltóáramos Tápegységek

Az ábrázolás

Jelölési diagram

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység
VRRM	Fordított feszültség (ismétlődő csúcs)	1200	V.
VDC	DC blokkoló feszültség	1200	V.
Ha	Előrébocsájtott áram (folyamatos) @Tc=25°C	30	A
	Előrébocsájtott áram (folyamatos) @Tc=135°C	15.2	A
	Előrégi áram (folyamatos) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Szökéses nem ismétlődő előrébbi áram szinusz félhullám @Tc=25°C tp=10ms	72	A
A FVK	Szökéses ismétlődő előrébbi áram (Gy=0,1Hz, 100ciklus) szinusz félhullám @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Teljes hőfelszívás @ Tc=25°C	176	W
	Teljes hőfelszívás @ Tc=150°C	29
	I2t érték @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csatolási hőmérsékleti tartomány	-55 to 175	°C

Az eszköz sérülhet, ha a legnagyobb értékek táblázatában felsorolt stresszek meghaladva vannak. Ha bármely korlátozás meghaladva van, az eszköz funkcióit nem lehet feltételezni, sérülés léphet fel és a megbízhatóság befolyásolható.

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VF	Előre Feszültség	1.48	1.7	V.	IF = 10 A TJ =25°C	Ábr. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Fordított áram	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Ábr. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Teljes kapacitás	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Ábra 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Teljes kapacitív töltés	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Ábra 4
Ec	Tárolt kapacitás-energia	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Ábra 5