SiC SBD

1200V 40A Autó SiC Schottky Dioda

Bevezetés

Származási hely:	Zhejiang
Márkaneve:	Inventchip Technology
Modell száma:	IV1D12040U3Z
Tanúsítvány:	AEC-Q101 minősítve

Minimális csomagolási mennyiség:	450db
Ár:
A csomagolás részletei:
Szállítási idő:
Kifizetési feltételek:
Szállítási kapacitás:

Jellemzők

Maximális csatlakozási hőmérséklet 175°C
Magas túlzó áramkapacitás
Nulla visszafelé haladó áram
Nulla előre irányuló visszaáramlás feszültség
Magasfrekvenciás működés
Hőfüggetlen kapcsolási viselkedés
Pozitív hőmérsékleti együttható az VF-n
AEC-Q101 minősítve

Alkalmazások

Autósi Inverter Ellenforgási Diodák
EV töltőállományok
Bécs 3-fázisú PFC
Napenergia Teljesítmény Növelés
Váltóáramos Tápegységek

Az ábrázolás

Jelölési diagram

Abszolút maximális minősítés (TC=25°C külön megjelölés nélkül)

Szimbólum	Paraméter	Érték	Egység
VRRM	Fordított feszültség (ismétlődő csúcs)	1200	V.
VDC	DC blokkoló feszültség	1200	V.
Ha	Előrébocsájtott áram (folyamatos) @Tc=25°C	54*	A
	Előrébocsájtott áram (folyamatos) @Tc=135°C	28*	A
	Előrébocsájtott áram (folyamatos) @Tc=151°C	20*	A
IFSM	Szökéses nem ismétlődő előrébbi áram szinusz félhullám @Tc=25°C tp=10ms	140*	A
A FVK	Szökéses ismétlődő előrébbi áram (Gy=0,1Hz, 100ciklus) szinusz félhullám @Tamb =25°C tp=10ms	115*	A
Ptot	Teljes hőfelszívás @ Tc=25°C	272*	W
	Teljes hőfelszívás @ Tc=150°C	45*
	I2t érték @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
TSTG	Tárolóhőmérséklet-tartomány	-55 to 175	°C
Tj	Működési csatolási hőmérsékleti tartomány	-55 to 175	°C

*Per Leg

Az Maximum Ratings táblázatban felsorolt értékeket túlmenő tényezők károsíthatják a berendezést. Ha bármely korlát meghaladva van, nem lehet feltételezni a berendezés funkcióit, károsodás történhet és a megbízhatóság befolyásolható.

a funkciókat nem lehet feltételezni, károsodás történhet és a megbízhatóság befolyásolható.

Elektromos jellemzők

Szimbólum	Paraméter	- Tipikus.	- Max, kérlek!	Egység	A vizsgálati feltételek	Megjegyzés
VF	Előre Feszültség	1.48*	1.8*	V.	IF = 20 A TJ =25°C	Ábr. 1
		2.1*	3.0*		HA = 20 A TJ =175°C
Ir	Fordított áram	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Ábr. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Teljes kapacitás	1114*		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Ábra 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Teljes kapacitív töltés	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Ábra 4
Ec	Tárolt kapacitás-energia	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Ábra 5