SiC MOSFET

1200V 30mΩ Gen2 오토մոտիվ SiC MOSFET

Ծանոթություն

Ծագման վայր:	Ժեժյան
Բրենդի անուն:	Inventchip Տեխնոլոգիա
Մոդելի համարը:	IV2Q12030D7Z
Սերտիֆիկացում:	AEC-Q101 հաստատված

Characteristics

երկրորդ գեներացիայի SiC MOSFET տեխնոլոգիա +18V դառնում բարձրացնելու ժամանակ
を超えたブロック電圧と低いオン抵抗
高出力スイッチング動作と低容量
Բարձր գործակից հաղորդակցության ջոինտի ջերմաստիճանի հնարավորություն
Ռեստությունում և արագ ներքին մարմնավոր դիոդ
Դատարկող շրջակայքի դիզայնի հեշտությունը Kelvin դատարկող մուտքով

Դիմումներ

Մոտորային դրայվեր
Սոլար ինվերտորներ
Ավտոմոբայլի DC/DC փոխակերպողներ
Ավտոմոբայլ կոմպրեսորի ինվերտեր
Կարգավոր โրդերականություն Էլեկտրոէներգիայի Համար

Contours:

Marking Diagram:

Ամենամեծ Աբսոլյուտ Գնահատականներ (TC=25°C բացի այլ նշված դեպքերից)

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VDS	Դրեյն- Supplies լարի մոտեցում	1200	V	VGS =0Վ, ID =100մկԱ
VGSmax (ԴԿ)	Մաքսիմալ ԴԿ Volt	-5 մինչև 20	V	Ստատիկ (ԴԿ)
VGSmax (Ծածկույց)	Əլք մաքսիմում դոլանություն	-10 մինչև 23	V	Դուտի ցիկլ<1%, և պալսի լայնություն<200նս
VGSon	Հարցված միացնելու մոտեցված Voltագե	18±0.5	V
VGSoff	Հարցված անջատելու մոտեցված Voltագե	-3.5 մինչև -2	V
ID	Դրենային հասցե (անընդհատ)	79	Ա	VGS =18V, TC =25°C	Հատված 23
		58	Ա	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Դրենային հասցե (պուլսային)	198	Ա	Պալսի լայնությունը սահմանափակված է SOA-ի կողմից	Հատ. 26
Ptot	Ընդհանուր ուժեղություն	395	W	TC =25°C	Հատ. 24
Տեստ	Պահումի ջերմաստիճանի միջակայք	-55 մինչև 175	°C
Tj	Օպերացիոն միացության ջերմաստիճան	-55 մինչև 175	°C
TL	땜 solder ջերմություն	260	°C	ալիքային soldering թուղթերից հետո կարող է օգտագործվել, 1.6մմ դեպի պարբերությունը 10 s-ի ընթացքում

Թերմոդինամիկ տվյալներ

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ	Նշան
Rθ(J-C)	Տեսական ռեզիստանս միացությունից դեպի դիրք	0.38	°C⁄W	Հատված 23

Էլեկտրոնային 특성 (TC =25。C բացառությամբ այլ նշումներ)

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք			ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
Սիմվոլ	Պարամետր	Մին.	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
IDSS	Դրեյն հոսքը զրո գեյթ լարումով		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Գեյթի ստորագրված հասցե			±100	չ/Ա	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Գեյթի սահմանային լարում	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12մԱ	Հատ. 8, 9
VTH	Գեյթի սահմանային լարում		2.0			VGS=VDS , ID =12մԱ @ TJ =175。C	Հատ. 8, 9
RON	Ստատիկ դրեն-սուրս միացման հավաքածու ռեզիստանս		30	39	մΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Հատ. 4, 5, 6, 7
			55		մΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
			36	47	մΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
			58		մΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss	Մուտքային կապակցություն		3000		պՖ	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Հատ. 16
Կոսս	Ելքային կապացիտիվություն		140		պՖ
Կրսս	媡 փոխանցման կապացիտիվություն		7.7		պՖ
Եոսս	Կոսս պահված էներգիա		57		μJ		Հատ. 17
Քգ	Ընդհանուր գեյթի լադանում		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 մինչև 18V	Հատ. 18
Qgs	Գեյթ-սուրս լադանում		36.8		nC
Qgd	Գեյթ-դրեն լադանում		45.3		nC
Rg	Գեյթի մուտքային հակադարձ נגדություն		2.3		ω	f=1MHz
EON	Էներգիայի միջոցավարտությունը միացման ժամանակ		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 մինչև 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Հատ. 19, 20
EOFF	Էներգիայի միջոցավարտությունը անջատման ժամանակ		118.0		μJ
td(on)	Միացման հաստատության ժամանակ		15.4		ns
tr	Վերադարձնող ժամանակ		24.6
td(անջ)	Ժամանակը հատուցման դեպի անջ		28.6
tF	Ելնելու ժամանակ		13.6

Վերադառնալիս դիոդի 특성ներ (TC =25。C բացառությամբ այլ նշումներ)

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք			ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
Սիմվոլ	Պարամետր	Մին.	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VSD	Դիոդի առաջի մոտավոր էլեկտրոմագնիսական դաշտ		4.2		V	ISD =30Ա, VGS =0Վ	Հատ. 10, 11, 12
VSD	Դիոդի առաջի մոտավոր էլեկտրոմագնիսական դաշտ		4.0		V	ISD =30Ա, VGS =0Վ, TJ =175。C	Հատ. 10, 11, 12
trr	Վերադարձակ վերականգման ժամանակ		54.8		ns	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Վերադարձակ վերականգման լիցք		470.7		nC
IRRM	Əրկային հակադրության մաքսիմալ հաջորդաբարեցող հաստատունը		20.3		Ա