SiC SBD

1200V 10A SiC Schottky Դիոդ AC/DC Կոնվերտորներ

Ծանոթություն

Ծագման վայր:	Ժեժյան
Բրենդի անուն:	Inventchip Տեխնոլոգիա
Մոդելի համարը:	IV1D12010T2
Սերտիֆիկացում:

Əնթացի մինիմալ քանակը՝	450հատ
📐
Պատվիրման մանրամասները.
Առաքման ժամանակ:
Վճարման պայմանները.
Մատակարարման կարողություն:

Characteristics

Մաքսիմալ հաղորդացուցական ջերմաստիճան 175°C
Բարձր փոխադարձագործության հաստատություն
Զրոյական հակառակ վերադարձնող հաստատություն
Զրո Առաջին Վերացում Voltage
Բարձր հաճախությամբ գործում
եմպերատուրային Անկախ Սահմանափոխման Պատճառ
Դրականական տեմպերատուրայի գործակիցը՝ VF-ի վրա

Դիմումներ

Սոլար Էներգիայի Ավելացում
Ինվերտեր Ազատ Կլորինգ Դիոդներ
Վիենա 3-Фаз PFC
ԱС/ԴĆ Կոնվերտորներ
Կարգավոր โրդերականություն Էլեկտրոէներգիայի Համար

Դիագրամ

Նշանակման Դիագրամ

Ամենամեծ Աբսոլյուտ Գնահատականներ (Tc=25°C բացի այն դեպքերից, երբ հակառակը չի նշված)

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ
VRRM	媡 վոլտաժ (կրկնությամբ գագաթային արժեք)	1200	V
VDC	DC բլոկավորման վոլտաժ	1200	V
Եթե	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=25°C	30	Ա
	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=135°C	15.2	Ա
	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=155°C	10	Ա
IFSM	Սպարման առանց կրկնվելու առաջին հոսանք սինուսային կիսաալիք @Tc=25°C tp=10ms	72	Ա
IFRM	Կրկնվող հաջորդաբար հոսքի պատահար (Freq=0.1Hz, 100 ցիկլեր) սինուսային կիսաալիք @Tamb =25°C tp=10ms	56	Ա
Ptot	Ընդհանուր ուժի խափանում @ Tc=25°C	176	W
	Ընդհանուր ուժի խափանում @ Tc=150°C	29
	I2t արժեքը @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
Տեստ	Պահումի ջերմաստիճանի միջակայք	-55 մինչև 175	°C
Tj	Տարածք օգտագործման ջոինտ ջերմաստիճան	-55 մինչև 175	°C

Ստրեսները, որոնք գերազանցում են «Առավելագույն գնահատումներ» աղյուսակում նշված սահմանափակությունները, կարող են վարձանել սարքը։ Եթե ցանկացած սահմանափակություն գերազանցվի, սարքի ֆունկցիոնալությունը չի պետք է ենթադրվի, կարող է տեղի ունենալ վարդանալ և ավելացնել վառանքը։

Էլեկտրոնային 특성

Սիմվոլ	Պարամետր	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VF	Առաջին Voltաժ	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Հատված 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
IR	Վերադարձյալ հասցե	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Հատ. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Ընդհանուր կապացիտիվություն	575		պՖ	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Հատ. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Ընդհանուր կապակցիոն լա드ավորում	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Հատ. 4
Ec	Ծավալների համակարգի ուժ	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Հատ. 5

Թերմոդինամիկ 특ություններ

Սիմվոլ	Պարամետր	Տիպ․	ԱՆՎԱՆԱԿ	Նշան
Rth(j-c)	Տեսական ռեզիստանս միացությունից դեպի դիրք	0.85	°C⁄W	Հատ.7