1200V 40A Ավտոմոբիլային SiC Schottky Դիոդ

Characteristics

Դիմումներ

Դիագրամ

Նշանակման Դիագրամ

Ամենամեծ Աբսոլյուտ Գնահատականներ (Tc=25°C բացի այն դեպքերից, երբ հակառակը չի նշված)

Սիմվոլ	Պարամետր	Արժեք	ԱՆՎԱՆԱԿ
VRRM	媡 վոլտաժ (կրկնությամբ գագաթային արժեք)	1200	V
VDC	DC բլոկավորման վոլտաժ	1200	V
Եթե	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=25°C	54*	Ա
	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=135°C	28*	Ա
	Առաջին հոսանք (անընդհատ) @Tc=151°C	20*	Ա
IFSM	Սպարման առանց կրկնվելու առաջին հոսանք սինուսային կիսաալիք @Tc=25°C tp=10ms	140*	Ա
IFRM	Կրկնվող հաջորդաբար հոսքի պատահար (Freq=0.1Hz, 100 ցիկլեր) սինուսային կիսաալիք @Tamb =25°C tp=10ms	115*	Ա
Ptot	Ընդհանուր ուժի խափանում @ Tc=25°C	272*	W
	Ընդհանուր ուժի խափանում @ Tc=150°C	45*
	I2t արժեքը @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Տեստ	Պահումի ջերմաստիճանի միջակայք	-55 մինչև 175	°C
Tj	Տարածք օգտագործման ջոինտ ջերմաստիճան	-55 մինչև 175	°C

*По կաուներ

Եթե ստրեսները գերազանցում են առավելագույն գնահատումների աղյուսակում նշվածը, սարքը կարող է որոշակի դուրս գալ։ Եթե որևէ սահմանը գերազանցվել է, սարքի

ֆունկցիոնալությունը չպետք է գնահատվի, կարող է տեխնիկական դուրս գալ և ավելացնել անվավերություն։

Էլեկտրոնային 특성

Սիմվոլ	Պարամետր	Տիպ․	Max.	ԱՆՎԱՆԱԿ	Ստորագրություններ	Նշան
VF	Առաջին Voltաժ	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	Հատված 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
IR	Վերադարձյալ հասցե	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Հատ. 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Ընդհանուր կապացիտիվություն	1114*		պՖ	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Հատ. 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	Ընդհանուր կապակցիոն լա드ավորում	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Հատ. 4
Ec	Ծավալների համակարգի ուժ	31*		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Հատ. 5

*По կաուներ

Թերմոդինամիկ 특성ները (մի օրենքում)

Սիմվոլ	Պարամետր	Տիպ․	ԱՆՎԱՆԱԿ	Նշան
Rth(j-c)	Տեսական ռեզիստանս միացությունից դեպի դիրք	0.55	°C⁄W	Հատ.7