Էլեկտրոնային մակարդակում, մենք ցանկանում ենք հաղորդագրել Mosfet տրանսիստորների հղումը, որոնք հայտնի են որպես հատուկ էլեկտրոնային սարքեր՝ mosfet հղումներ: Mosfet-ները լավագույն բաղադրիչներ են, որոնք ունեն լայն օգտագործման շրջանակ՝ նման որպես մոտորներ և LED լամպեր կամ էլեկտրաէներգիայի Supplies: Համար order օգտագործել mosfet-ները ադեkvately, և համոզվել, որ նրանց գործունեությունը ճիշտ է սկսվում high մի քանի մակարդակներին, որոնք նրանք են ներկայացնում որպես բարձր հասանելիության junction սարքերին հետ ճիշտ voltages kicked կամ sucked through them; դա դառնում է անհրաժեշտ օգտագործել military spec C rated fastresponse "noise suppression" and EMI\/RFI shielding shielddoo-riley-gar! circuity like Pulse transformer configured, wave shaped signal drivers even.! Ապացուցելու համար, բարձր կողմի և ցածր կողմի mosfet հղումները որոշվում են իրենց դիրքով, որտեղ նրանք համապատասխանում են էլեկտրոնային շրջանում:
Երբ դուք ընտրում եք MOSFET դրայվերի որևէ կիրառման համար, առաջին գործողությունը ստուգել է ո՞ր կողմում օգտագործվում է՝ բարձր կողմում թե ցածր կողմում: Բարձր կողմի MOSFET դրայվերը սովորաբար պահանջվում են այն սարքերի համար, որոնք կապված են հատվածի կողմին: Դրանք շատ հարմար են կիրառվում բանդինգ մոտորների և բամբիչների այնպիսի կիրառումների համար: Ցածր կողմի MOSFET դրայվերը նաև օգտագործվում են սարքերում, որոնք աստիճանակում են հատվածին կապված տարրերին, ինչպիսիք են լուսափույնները և աստիճանակները: Դուք պետք է նաև հաշվի առնեք MOSFET դրայվերի համար հասանելիությունները և լարումները: Սա համոզվածություն է տալիս, որ դուք ունեք դրայվեր իրականացնելու համար ձեր կիրառման դեպքում:
Հատուկ դիրքով mosfet հղում օգտագործելու առավելությունները. Այն ունի շատ կիրառման առավելություններ, ինչ-որ մեկը բարձր մասշտաբով գործող voltages և այն իդեալ է դեպքերում, որտեղ ground detection կամ line detection են պահանջվող: Սակայն, դիրքով mosfet հղումների մասին կան նաև թերություններ: Երկար խնդիրը այն է, որ դրանք պակաս հարմար են օգտագործել, քանի որ ավելի շատ control circuits 3v+ կարող են օգտագործվել, քանի որ mosfet-ին պետք է մեծ մոտեցում դասավորելու համար: Դա կարող է բարդ դասավորություններ ստեղծել, ինչպես նաև դեպքերում, որտեղ դուք չեք ունեցել անցկացման վճարումներ:
Ամենակարևորը՝ ցածր կողմի MOSFET դրայվերն ունեն գործառույթային հասարակություն: Եվ քանի որ MOSFET-ները աктивացվում են ցածր voltages-ով, դրանք շատ լավ են, և դրանք կարող են անմիջականորեն դրայվելու ժամանակ regular transistors-ով մեծ մասում: Դրանք լավ են high-side դրայվերի համար light-ի և power supply positive voltage connectivity-ի համար: Խնդրում ենք դիտել, որ high side դրայվերը կարող են պոտենցիալապես լինել ավելի արդյունավետ, քան low side driversը: Այս սահմանափակումը կարող է նաև կիրառվել որոշ program-ների համար, բայց դրանք շուտ սկսում են գերազանցել high current-ի բեռներով:
Mosfet դրայվերն մեծ խնդիր են հաճախորդներին, ովքեր օգտագործում են ջերմացումի խնդիրներ: Եдин խնդիրը այն է, որ այդ դեպքերում, երբ mosfet դրայվերն օգտագործում եք, պետք է օգտագործել որևէ այլ տեսակ, քանի որ նրանք պետք է ունենան շատ ավելի շատ սիգնալ, քան ինչ մենք: Ջերմացումով ազդանշանով mosfet դրայվերը վառելու հավանականություն կամ նրա արդյունավետության սահմանը կարող է անջատել այն: Սահմանափակումը, որը հաճախորդների կողմից պատճառվում է էլեկտրական ինտերֆերենցիայից՝ անհայտ կայունություններից, նաև կարող է դարձնել խնդիր: Էլեկտրական սահմանափակումը. Այն պատճառում է mosfet դրայվերին սխալ սիգնալներ ուղարկելու, և այնուհետև դուք կունենաք մի քանի 45-ական կրկնություն:
Լուծումները, ընդհանուր լուծումը այս խնդիրներից խուսափելու համար. Կարևոր է անալիտիկի ձեռքում, որոնք ընտրում են mosfet դրայվերն իրենց պայմաններին համապատասխանությունը: Դուք պետք է նաև ստուգեք կայունությունները ճիշտ և որոնք լայնությամբ են երկու կետերում: Հանգումների նշանները նշանակելուց առաջ նրանք դարձնում են մեծ խնդիր, դուք կգտնեք, որ այդ խնդիրը կունենա քիչ հնարավորություն ավելի մեծ խնդիրների դեպքում:
Երբեք դու նախագծում ես շղթաներ տրված mosfet հղումների օգտագործմամբ, պետք է հետևես մի քանի հիմնական լավ պարապիրության մուտքագրումներին, որոնք համոզված կլինեն այս միավորների ճիշտ աշխատանքը։ Քայլ 1. Ընտրեք ճիշտ մոտավոր և հասցեների արժեքները mosfet հղումների համար։ Եվ քանի որ դրանք անցավորված են, mosfet հղումի ջերմությունը (առանձնացումից ավելի տարածված) կարող է դարձնել խնդիրներ։ Օրինակ՝ մեկ եղանակ է դա, որ հասցեն ձեր շղթայում պետք է լինի հաստատուն։ Վերջապես, սովորական ստորագրությունները և սովորական պահպանումը լավ եղանակներ են խնդիրների նախատեսված պահումը mosfet հղումների հետ։ Դա նախագծված է անհրաժեշտությունների կամ աշխատանքի խախտումների պահում համար, որոնք կարող են խախտել սովորական սMOOTH գործողության հոսքը։
Կարողության կառավարումը ամբողջ պրոցեսում կատարվել է պրոֆեսիոնալ բարձր կողմի և ցածր կողմի mosfet դրայվերի հետ, բարձր որակի ստորագրություններ։
առաջարկել գործունեությունների բարձր կողմի և ցածր կողմի mosfet դրայվերի առավել բարձր որակով ամենացածր գինով:
կարող է օգնել ձեզ դիզայնի մասնավոր առաջարկներով, պարտադիր դեպքում սխալացած արտադրանքների ստացման դեպքում, հանդիսանողի բարձր և ցածր կողմերի mosfet դրայվերի հետ Allswell արտադրանքների դեպքում, Allswell տեխնիկական աջակցությունը կարող է գտնվել։
մասնագիտական անալիտիկ թիմը կարող է կիսվել բարձր և ցածր կողմերի mosfet դրայվերի գաղափարներով՝ արդյոք օգնելու համար արդյունաբերության շղթայի զարգացման մեջ։
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
