SiC MOSFET-ի օգտագործման լավագույն 3 կիրառությունները մարդատարակական ឧստացումում?

Վերջին մի քանի տարիների ընթացքում էլեկտրակարգային մեքանիկները դարձել են ավելի և ավելի տարածված իրենց էկոլոգիական դիզայնի պատճառով: Ենթադրելիք, էլեկտրակարգային մեքանիկները դեռևս դիմում են ցածր անցումների և երկար կարգավորման ժամանակին: SiC MOSFET-ները ունեն պոտենցիալ լուծել այս խնդիրները և բերել նոր դար էլեկտրակարգային տեխնոլոգիայի մեջ, այնուամենայնիվ:

SiC MOSFET-ները նոր գեների էլեկտրոնային սարքերի տեսակ են և վերջինների համար բացատրություն են տալիս գեղարվեստ հատկությունները՝ դասավորելով դրանք սիլիցիումից ավելի լավ, որպեսզի կարողանան աշխատել բարձր հաճախությամբ և ջերմաստիճանով։ SiC MOSFET-ները կարող են ավելի շատ արժեք տալ էլեկտրամաշինների համար՝ բարձրացնելով արդյունավետությունը և աշխատանքային հատկությունները։ Այլ կերպ ասած՝ SiC MOSFET-ները կարող են բացահայել բացասական ազդեցությունները՝ ինչպես օրինակ՝ հումնացումի պահանջները, որոնք կարող են ավելացնել ավտոմոբիլների արժեքը՝ ավելացնելով արագությունը և ավելացնելով արդյունավետությունը։

Սակայն, SiC MOSFET-ները չեն միացված միայն էլեկտրամոբիլների հետ: Տեխնոլոգիան նաև պատրաստված է համաձայնեցնել հիբրիդ մեքենաների համար, որոնք միացնում են ներդաշնակային մոտորներ և էլեկտրամոտորներ՝ ավելացնելով կառուցվածքի արդյունավետությունը: SiC MOSFET-ների միջոցով մոտորային դրավի ուժի խտությունը ավելացնելու և ավարտական համակարգերի laden/discharging համակարգերի դիվերգենցիացնելու միջոցով, հիբրիդ մեքենաները կարող են ավելացնել իրենց արդյունավետությունը և արդյունքը: Այս նորությունները պետք է բերեն դիմադրությունների դարձնելու և հիբրիդ մեքենաների կյանքի ցիկլում углекислого газа արտադրության նվազեցմանը:

Հիբրիդների ավագ մոտորներից կողմենային արտաքին շրջանավորման համակարգերով առաջարկված մեքենաները՝ որոնք ենթադրաբար են այսօր ամենամեծ դարձնում են գլախանգային գազերի դարձը, կարող են ստանալ դարձնողություններ ՍիԿ ՄՕՍՖԵՏ-ների ինտեգրացիայի միջոցով: ՍիԿ ՄՕՍՖԵՏ-ները կարող են բարձրացնել էներգիայի արդյունավետությունը ուժահաղորդական համակարգերում, ինչպես նաև ավելացնել կառուցվածքային մեքենաների կառավարական արդյունավետությունը՝ հանգեցնելով դարձնողությունների նվազմանը համաշխարհային մասշտաբով: Ավագագույն համակարգերի մեջ՝ օրինակ՝ էլեկտրական ուժի կառավարման և արագացման համակարգերում և արագացման համակարգերում ՍիԿ ՄՕՍՖԵՏ-ների կիրառումը նաև կարող է հանգեցնել կառավարական արդյունավետության բարձրացմանը և արգանավոր դարձնողությունների նվազմանը:

Երաշխավոր մասին ապագային, ավտոնոմ կեցումի տեխնոլոգիան պատրաստվում է դառնալ կանչահաղթող ալիք ավտոմոբայլ ឧստիունության մեջ՝ ապահովելով արդյունավետ և հավիանալի էլեկտրոնային սարքերի մեծ զարգացում: Այս փոխանակումը կհանդիսանալ SiC MOSFET-ների կամ ավտոնոմ մեքենաների համար ունակող Էլեկտրոնային Սարքերի առաջացում, որը արագացվել է ավտոմոբայլ զարգացման միջոցով: Հակառակը, SiC MOSFET-ները թույլ են տալիս ավելի բարձր լարումներ և հասանելիություն հասանելիության դեպքում, իսկ նաև նվազեցնում են արտագրման կորսները՝ ավելացնելով ջերմային արդյունավետությունը՝ ավտոնոմ կեցումը ավելի ան전 դարձնելու համար:

Ընդհանուր գումարում, սպասվում է, որ SiC MOSFET-ների բարձր ընդունությունը էլեկտրային/հիբրիդ/ավտոմատացված մեքենաներում կունենա նշանական դեր գլոբալ углекислого газի արտաքին կորուստի նվազեցման և ավտոմատացված անցումի/կառուցվածքի ավելացման մեջ։ Ավտոմոբայլ աշխարհը արագորեն մոտենում է կետին, որտեղ UFACTURERS-ները մրցանակ են գործարկել էներգիայի արդյունավետ և միրուկային մեքենաներ։ Դրա խնդիրների լուծումը կարևոր է այն ապագայի հասնելու համար, որտեղ մեքենաները կլինեն միրուկային և վստահելի, ինչ իրավորություն չի տալիս SiC MOSFET տեխնոլոգիային։