Ելնելով 1700V SiC MOSFET-ների համար արդյոքների վերլուծությունը գործարարականության ուժային համակարգերում

Տեխնոլոգիան հետ է ժամանակին; այն ոչ միայն հեշտում է մեր կյանքը, այլև դարձնում է դրան ավելի հարմար: Այդպիսի բան, որը կարող է հաճախորդ լինել ինժեներին, դա 1700V SiC MOSFET-ներն են: Այս տեխնոլոգիան դարձել է ավելի և ավելի կարևոր ժամանակակից էլեկտրոէներգետիկ համակարգերի համար՝ քանի որ հասկանալով, թե ինչպես աշխատում է այս տեխնոլոգիան, մենք կարող ենք գտնել նրա կարևորությունը:

Ինչպես աշխատում են 1700V SiC MOSFET-ները?

Efфиqиվнoсть է մեկ այլ գոլդեն կանոնը՝ սահմանափակություններին հանդիսացող էլեկտրոէներգիայի համակարգերի մասին։ Efфиqиվնość նշանակում է անցկացնել նույն աշխատանքը՝ օգտագործելով փոքր քանակությամբ էներգիա։ Դա դեռևս դեպք է SiC MOSFET-երի համար՝ որոնք օգտագործվում են շատ efфиqиվնoցի և դիսպերսում են շատ քիչ էլեկտրոէներգիա բարձր մակարդակում էլեկտրոէներգիայի դեպքում, քանի որ դրանք ունեն էներգիայի խնայող դիզայն էլեկտրոէներգիայի համակարգում։ Սա լավ նորություն է ընկերություններին, քանի որ նշանակում է պակաս ծախսեր էլեկտրոէներգիայի վրա և ավելի շատ դրանց արժեքներում։ Այդպիսի կոմպոնենտները նվազուցում են ջերմունքի քանակը՝ գործում են այնքան ժամանակ, որը նշանակում է երկար տարիքներ մեքանիզմներին։ Մեքանիզմները՝ որոնք պետք է ավելի քիչ հորինեն, ավելի քիչ արագ սկսում են անգամանալ։ Դա հավանագույն է բոլորի համար։

Մեկ այլ հետաքրքիր 특징ը այս MOSFET-ների մեջ է արագ մուտքի և դուրսի հնարավորությունը: Կարելի է ասել, սովորական ավարտական սիլիցիումի բաղադրություններից հակառակ, հնարավոր է հասնել այս շատ բարձր դինամիկ արագություններին: Բարձր փոխանցման արագությունները ավտոմատացրելով, այս բաղադրությունները հնարավորություն են տալիս պայմանավորել տարբեր պայմաններից՝ ինչ դարձնում է դրանք իդեալական մասեր կիրառումների համար՝ սկսած ռոբոտիկայից մինչև հարթ էներգիայի համակարգերին:

Սুবিধাকները 1700V SiC MOSFET-ների համար

ՏեղեկանքRuichang527 1700V SiC MOSFET: Սুবিধանքներ 1700V SiC MOSFET-ների համար: Առաջին օրինակ, դրանք շատ ավելի արդյոքն են, քան հին տեխնոլոգիան, արժեքներ և էներգիա խանգիստում են: Դրանք միակորեն լավ են պարզվում ջերմությունը տեղափոխելու համար, առանց սովորական սիլիցիումի կապակցությունների: Կարելի է ստեղծել փոքր և 軽量 համակարգեր, որոնք խանգիստում են տարածությունը և ավելի պարզ են տեղադրել:

Ավելի ուշ, 1700V SiC MOSFET-ը այժմ կարող է կանգնել ավելի շատ մոտավոր դասակարգում ցանկացած տեխնոլոգիաներից։ Սա բարձրացնում է կորուստի մոտավոր դասակարգը, այնպես որ դա դարձնում է այն ավելի վավեռ և երկար ժամանակ աշխատելու հնարավորություն տալու, որոշում է, որ գործընկերությունը ունի որակի մաքներ երկար ժամանակ։ Որոշ կիրառումներ, որտեղ այս սարքերը շատ հաճախ օգտագործվում են, են այդպիսի ճյուղերում, քանի որ դա կարող է փոխել շատ, երբ խոսքն է գնահատում և գործառույթային արժեքների մասին ընդհանուրապես։

1700V SiC MOSFET-ի կարգավորման համակարգի կիրառումը։ Դիսկրետային ինչպես որ դրանք անում են լավ, երբ մենք վերցնում ենք ստորագրությունը՝ մեր 1700V SiC MOSFET-ի հետ միասին։ Մաքների լավ գործունեությունը բարձր ճշգրտության և վավեռության պատճառով ավելացնում է արդյունավետությունը։ Այսպիսով, դա կարող է հասնել շատ ավելի շատ արդյունք քիչ ժամանակում, որը կարևոր է այսօրի գործընկերության կլիմատում։

Այսքանը փոքր և հեղինակագործությամբ կոմպոնենտներ են, ինչը թույլ է տալիս հեշտ ինտեգրացիա существуюcí համակարգի մեջ։ Սա դարձնում է սարքումը շատ հարմար, քանի որ գործընկերությունը չի պետք ավելի շատ փոխարինել իր այժմ սարքը, այլ կապելու է նոր մասնակիցները շատ քիչ լրացուցիչ աշխատանքի կամ ռեսուրսների հետ։