1200V 160mΩ Gen2 Otomotif SiC MOSFET

Fitur

Aplikasi

Garis Besar:

Diagram Penandaan:

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Tegangan DC Maksimum	-5 hingga 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Pancaran)	Tegangan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Rasio siklus<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	18±0.5	V
VGSoff	Tegangan matikan yang direkomendasikan	-3.5 hingga -2	V
Id	Arus drain (kontinu)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Gambar. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus drain (berdenyut)	47	A	Lebar pulsa dibatasi oleh SOA	Gambar 26
Ptot	Total dissipasi daya	136	W	TC =25°C	Gambar. 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu operasi junction	-55 hingga 175	°C
TL	Suhu solder	260	°C	hanya pengelasan gelombang diperbolehkan pada pin, 1.6mm dari casing selama 10 detik

Data termal

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Catatan
Rθ(J-C)	Hambatan Termal dari Junction ke Case	1.1	°C/W	Gambar. 25

Karakteristik Listrik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
		Min.	- Tempel.	Maks.
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Gambar 8, 9
			2.1			VGS =VDS , ID =2mA @ TJ =175。C
Ron	Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup		160	208	mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =25。C	Gambar 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS =18V, ID =5A @TJ =175。C
Ciss	Kapasitas input		575		pF	VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Gambar. 16
Coss	Kapasitansi Output		34		pF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		2.3		pF
Eoss	Energi tersimpan Coss		14		μJ		Gambar. 17
Qg	Muatan gerbang total		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 hingga 18V	Gambar. 18
Qgs	Muatan gate-source		6.6		nC
Qgd	Muatan gate-drain		14.4		nC
Rg	Hambatan input gate		10		ω	f=1MHz
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Gambar. 19, 20
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		22		μJ
td (on)	Waktu penundaan menyala		2.5		n
tr	Waktu naik		9.5
td (off)	Waktu penundaan pemutus		7.3
tF	Waktu musim gugur		11.0
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175。C	Gambar. 22
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		19		μJ

Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VSD	Tegangan dioda ke depan		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Gambar. 10, 11, 12
VSD	Tegangan dioda ke depan		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175。C	Gambar. 10, 11, 12
trr	Waktu Pemulihan Kembali		26		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		92		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		10.6		A