Semua Kategori
Hubungi Kami
SiC mosfet

Halaman Utama /  Produk /  Komponen /  SiC mosfet

SiC mosfet

1200V 30mΩ Gen2 Otomotif SiC MOSFET

Pengenalan
Tempat Asal: Zhejiang
Nama Merek: Inventchip Technology
Nomor Model: IV2Q12030D7Z
Sertifikasi: AEC-Q101 terkualifikasi


Fitur

  • teknologi MOSFET SiC Generasi Kedua dengan+18V gate drive

  • Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah

  • Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah

  • Kemampuan suhu sambungan operasional tinggi

  • Dioda tubuh intrinsik yang sangat cepat dan kokoh

  • Input gerbang Kelvin mempermudah desain rangkaian penggerak

Aplikasi

  • Pengemudi Motor

  • Inverter surya

  • Konverter DC/DC otomotif

  • Inverter kompresor otomotif

  • Sumber Daya Mode Pengalihan


Garis Besar:

image

Diagram Penandaan:

image

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali dinyatakan lain)

Simbol Parameter Nilai Unit Kondisi pengujian Catatan
VDS Tegangan Drain-Source 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) Tegangan DC Maksimum -5 hingga 20 V Statis (DC)
VGSmax (Pancaran) Tegangan puncak maksimum -10 hingga 23 V Rasio siklus<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon Tegangan nyalakan yang direkomendasikan 18±0.5 V
VGSoff Tegangan matikan yang direkomendasikan -3.5 hingga -2 V
Id Arus drain (kontinu) 79 A VGS =18V, TC =25°C Gambar. 23
58 A VGS =18V, TC =100°C
IDM Arus drain (berdenyut) 198 A Lebar pulsa dibatasi oleh SOA Gambar 26
Ptot Total dissipasi daya 395 W TC =25°C Gambar. 24
TSTG Rentang suhu penyimpanan -55 hingga 175 °C
Tj Suhu operasi junction -55 hingga 175 °C
TL Suhu solder 260 °C hanya pengelasan gelombang diperbolehkan pada pin, 1.6mm dari casing selama 10 detik


Data termal

Simbol Parameter Nilai Unit Catatan
Rθ(J-C) Hambatan Termal dari Junction ke Case 0.38 °C/W Gambar. 23


Karakteristik Listrik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol Parameter Nilai Unit Kondisi pengujian Catatan
Min. - Tempel. Maks.
IDSS Arus drain pada tegangan gerbang nol 5 100 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS Listrik kebocoran gerbang ±100 nA VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH Tegangan ambang gerbang 1.8 2.8 4.5 V VGS=VDS , ID =12mA Gambar 8, 9
2.0 VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
Ron Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup 30 39 VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C Gambar 4, 5, 6, 7
55 VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
36 47 VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
58 VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
Ciss Kapasitas input 3000 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV Gambar. 16
Coss Kapasitansi Output 140 pF
Crss Kapasitas transfer terbalik 7.7 pF
Eoss Energi tersimpan Coss 57 μJ Gambar. 17
Qg Muatan gerbang total 135 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 hingga 18V Gambar. 18
Qgs Muatan gate-source 36.8 nC
Qgd Muatan gate-drain 45.3 nC
Rg Hambatan input gate 2.3 ω f=1MHz
EON Menghidupkan Energi Pemancar 856.6 μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3,5 hingga 18V, RG(ext) =3,3Ω, L=200μH TJ =25。C Gambar. 19, 20
EOFF Penutupan Energi Pemanas 118.0 μJ
td (on) Waktu penundaan menyala 15.4 n
tr Waktu naik 24.6
td (off) Waktu penundaan pemutus 28.6
tF Waktu musim gugur 13.6


Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol Parameter Nilai Unit Kondisi pengujian Catatan
Min. - Tempel. Maks.
VSD Tegangan dioda ke depan 4.2 V ISD =30A, VGS =0V Gambar. 10, 11, 12
4.0 V ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C
trr Waktu Pemulihan Kembali 54.8 n VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr Biaya Pemulihan Kembali 470.7 nC
IRRM Arus pulsa balik pemulihan maksimum 20.3 A


Kinerja Tipikal (kurva)

image

image

image

image

image

image

image

image

image


PRODUK TERKAIT