SiC SBD

1200V 10A Dioda Schottky SiC Konverter AC/DC

Pengenalan

Tempat Asal:	Zhejiang
Nama Merek:	Inventchip Technology
Nomor Model:	IV1D12010T2
Sertifikasi:

Kuantitas Packing Minimum:	450pcs
Harga:
Detail Kemasan:
Waktu Pengiriman:
Ketentuan Pembayaran:
Kemampuan Penyediaan:

Fitur

Suhu Junction Maksimum 175°C
Kapasitas Arus Lonjakan Tinggi
Arus Pulih Balik Nol
Tegangan Pulih Maju Nol
Operasi frekuensi tinggi
perilaku switching independen terhadap suhu
Koefisien Suhu Positif pada VF

Aplikasi

Peningkatan Energi Surya
Dioda Bebas Roda Inverter
Vienna PFC Tiga Fase
Konverter AC/DC
Sumber Daya Mode Pengalihan

Rangka kerja

Diagram Tanda

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit
VRRM	Geser tegangan (puncak berulang)	1200	V
VDC	Tegangan penghalang DC	1200	V
IF	Arus maju (kontinu) @Tc=25°C	30	A
	Arus maju (kontinu) @Tc=135°C	15.2	A
	Arus maju (kontinu) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Arus maju non-berulang gelombang setengah sinus @Tc=25°C tp=10ms	72	A
IFRM	Arus maju berulang gelombang setengah sinus (Freq=0.1Hz, 100siklus) @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Dissipasi daya total @ Tc=25°C	176	W
	Dissipasi daya total @ Tc=150°C	29
	Nilai I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Rentang suhu operasi junction	-55 hingga 175	°C

Stres yang melebihi batas yang terdaftar dalam tabel Peringkat Maksimum dapat merusak perangkat. Jika salah satu dari batas ini dilanggar, fungsionalitas perangkat tidak dapat diasumsikan, kerusakan dapat terjadi dan keandalan dapat terpengaruh.

Karakteristik Listrik

Simbol	Parameter	- Tempel.	Maks.	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VF	Tegangan ke depan	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Gambar. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Arus balik	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Gambar. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Kapasitansi Total	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Gambar 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Qc	Muatan Kapasitif Total	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Gambar 4
Ec	Energi Kapasitansi yang Disimpan	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Gambar 5