Beranda / Produk / Komponen / SiC MOSFET
| Tempat Asal: | Shanghai |
| Nama Merek: | Inventchip Technology |
| Nomor Model: | IV2Q12040T4Z |
| Sertifikasi: | AEC-Q101 |
Fitur
2nd Teknologi SiC MOSFET Generasi dengan
+15~+18V penggerak gerbang
Tegangan blokir tinggi dengan hambatan hidup rendah
Pengalihan cepat dengan kapasitansi rendah
kemampuan suhu sambungan operasional 175°C
Dioda tubuh intrinsik ultra cepat dan tangguh
Input gerbang Kelvin mempermudah desain rangkaian penggerak
AEC-Q101 terkualifikasi
Aplikasi
Pengisi daya EV dan OBC
Penguat surya
Inverter kompresor otomotif
Sumber daya AC/DC
Garis Besar:
Diagram Penandaan:
Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)
| Simbol | Parameter | Nilai | Unit | Kondisi pengujian | Catatan |
| VDS | Tegangan Drain-Source | 1200 | V | VGS =0V, ID =100μA | |
| VGSmax (Transient) | Tegangan transient maksimum | -10 hingga 23 | V | Rasio siklus<1%, dan lebar pulsa<200ns | |
| VGSon | Tegangan nyalakan yang direkomendasikan | 15 hingga 18 | V | ||
| VGSoff | Tegangan matikan yang direkomendasikan | -5 hingga -2 | V | Tipikal -3.5V | |
| Id | Arus drain (kontinu) | 65 | A | VGS =18V, TC =25°C | Gambar. 23 |
| 48 | A | VGS =18V, TC =100°C | |||
| IDM | Arus drain (berdenyut) | 162 | A | Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C) | Gambar. 25, 26 |
| ISM | Arus dioda body (berdenyut) | 162 | A | Lebar denyut dibatasi oleh SOA dan dinamis Rθ(J-C) | Gambar. 25, 26 |
| Ptot | Total dissipasi daya | 375 | W | TC =25°C | Gambar. 24 |
| TSTG | Rentang suhu penyimpanan | -55 hingga 175 | °C | ||
| Tj | Suhu operasi junction | -55 hingga 175 | °C | ||
| TL | Suhu solder | 260 | °C | hanya pengelasan gelombang diperbolehkan pada pin, 1.6mm dari casing selama 10 detik |
Data termal
| Simbol | Parameter | Nilai | Unit | Catatan |
| Rθ(J-C) | Hambatan Termal dari Junction ke Case | 0.4 | °C/W | Gambar. 25 |
Karakteristik Listrik (TC = 25。C kecuali ditentukan lain)
| Simbol | Parameter | Nilai | Unit | Kondisi pengujian | Catatan | ||
| Min. | - Tempel. | Maks. | |||||
| IDSS | Arus drain pada tegangan gerbang nol | 5 | 100 | μA | VDS =1200V, VGS =0V | ||
| IGSS | Listrik kebocoran gerbang | ±100 | nA | VDS =0V, VGS = -5~20V | |||
| VTH | Tegangan ambang gerbang | 1.8 | 2.8 | 4.5 | V | VGS =VDS , ID =9mA | Gambar 8, 9 |
| 2.1 | VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C | ||||||
| Ron | Hambatan statis drain-sumber pada keadaan hidup | 40 | 52 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =25。C | Gambar 4, 5, 6, 7 | |
| 75 | mΩ | VGS =18V, ID =20A @TJ =175。C | |||||
| 50 | 65 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =25。C | ||||
| 80 | mΩ | VGS =15V, ID =20A @TJ =175。C | |||||
| Ciss | Kapasitas input | 2160 | pF | VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV | Gambar. 16 | ||
| Coss | Kapasitansi Output | 100 | pF | ||||
| Crss | Kapasitas transfer terbalik | 5.8 | pF | ||||
| Eoss | Energi tersimpan Coss | 40 | μJ | Gambar. 17 | |||
| Qg | Muatan gerbang total | 110 | nC | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 hingga 18V | Gambar. 18 | ||
| Qgs | Muatan gate-source | 25 | nC | ||||
| Qgd | Muatan gate-drain | 59 | nC | ||||
| Rg | Hambatan input gate | 2.1 | ω | f=1MHz | |||
| EON | Menghidupkan Energi Pemancar | 446.3 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C | Gambar. 19, 20 | ||
| EOFF | Penutupan Energi Pemanas | 70.0 | μJ | ||||
| td (on) | Waktu penundaan menyala | 9.6 | n | ||||
| tr | Waktu naik | 22.1 | |||||
| td (off) | Waktu penundaan pemutus | 19.3 | |||||
| tF | Waktu musim gugur | 10.5 | |||||
| EON | Menghidupkan Energi Pemancar | 644.4 | μJ | VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C | Gambar. 22 | ||
| EOFF | Penutupan Energi Pemanas | 73.8 | μJ | ||||
Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali dinyatakan lain)
| Simbol | Parameter | Nilai | Unit | Kondisi pengujian | Catatan | ||
| Min. | - Tempel. | Maks. | |||||
| VSD | Tegangan dioda ke depan | 4.2 | V | ISD =20A, VGS =0V | Gambar. 10, 11, 12 | ||
| 4.0 | V | ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C | |||||
| Adalah | Arus maju dioda (kontinu) | 63 | A | VGS =-2V, TC =25。C | |||
| 36 | A | VGS =-2V, TC=100。C | |||||
| trr | Waktu Pemulihan Kembali | 42.0 | n | VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs | |||
| Qrr | Biaya Pemulihan Kembali | 198.1 | nC | ||||
| IRRM | Arus pulsa balik pemulihan maksimum | 17.4 | A | ||||
Kinerja Tipikal (kurva)
Dimensi Paket
Catatan:
1. Referensi Paket: JEDEC TO247, Variasi AD
2. Semua Dimensi dalam mm
3. Celah Diperlukan, Notch Bisa Dibulatkan
4. Dimensi D&E Tidak Termasuk Mold Flash
5. Dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya
EN
AR
HR
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
IW
ID
LT
SR
SK
UK
VI
SQ
HU
TH
TR
FA
AF
MS
HY
BN
LA
TA
TE
MY
