650V 25mΩ Gen2 Otomotif SiC MOSFET

Fitur

Aplikasi

Garis Besar:

Diagram Penandaan:

Peringkat Maksimum Absolut (TC=25°C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VDS	Tegangan Drain-Source	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Tegangan DC Maksimum	-5 hingga 20	V	Statis (DC)
VGSmax (Pancaran)	Tegangan puncak maksimum	-10 hingga 23	V	Rasio siklus<1%, dan lebar pulsa<200ns
VGSon	Tegangan nyalakan yang direkomendasikan	18±0.5	V
VGSoff	Tegangan matikan yang direkomendasikan	-3.5 hingga -2	V
Id	Arus drain (kontinu)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Gambar. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Arus drain (berdenyut)	247	A	Lebar pulsa dibatasi oleh SOA	Gambar 26
Ptot	Total dissipasi daya	454	W	TC =25°C	Gambar. 24
TSTG	Rentang suhu penyimpanan	-55 hingga 175	°C
Tj	Suhu operasi junction	-55 hingga 175	°C
TL	Suhu solder	260	°C	hanya pengelasan gelombang diperbolehkan pada pin, 1.6mm dari casing selama 10 detik

Data termal

Simbol	Parameter	Nilai	Unit	Catatan
Rθ(J-C)	Hambatan Termal dari Junction ke Case	0.33	°C/W	Gambar. 25

Karakteristik Listrik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
IDSS	Arus drain pada tegangan gerbang nol		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Listrik kebocoran gerbang			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Tegangan ambang gerbang	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Gambar 8, 9
VTH	Tegangan ambang gerbang		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Gambar 8, 9
Ron	Hambatan statis drain-sumber saat menyala		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Gambar 4, 5, 6, 7
Ron	Hambatan statis drain-sumber saat menyala		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Gambar 4, 5, 6, 7
Ciss	Kapasitas input		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Gambar. 16
Coss	Kapasitansi Output		251		pF
Crss	Kapasitas transfer terbalik		19		pF
Eoss	Energi tersimpan Coss		52		μJ		Gambar. 17
Qg	Muatan gerbang total		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 hingga 18V	Gambar. 18
Qgs	Muatan gate-source		35.7		nC
Qgd	Muatan gate-drain		38.5		nC
Rg	Hambatan input gate		1.5		ω	f=1MHz
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Gambar. 19, 20
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		95.0		μJ
td (on)	Waktu penundaan menyala		12.9		n
tr	Waktu naik		26.5
td (off)	Waktu penundaan pemutus		23.2
tF	Waktu musim gugur		11.7
EON	Menghidupkan Energi Pemancar		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 hingga 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Gambar. 22
EOFF	Penutupan Energi Pemanas		99.7		μJ		Gambar. 22

Karakteristik Dioda Balik (TC =25。C kecuali ditentukan lain)

Simbol	Parameter	Nilai			Unit	Kondisi pengujian	Catatan
Simbol	Parameter	Min.	- Tempel.	Maks.	Unit	Kondisi pengujian	Catatan
VSD	Tegangan dioda ke depan		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Gambar. 10, 11, 12
VSD	Tegangan dioda ke depan		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Gambar. 10, 11, 12
trr	Waktu Pemulihan Kembali		32		n	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Biaya Pemulihan Kembali		195.3		nC
IRRM	Arus pulsa balik pemulihan maksimum		20.2		A