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diodo Schottky SiC 1200V 10A Convertitori AC/DC

Introduzione

Luogo di Origine:	Zhejiang
Nome del Marchio:	Inventchip Technology
Numero di Modello:	IV1D12010T2
Certificazione:

Quantità minima di imballaggio:	450pezzi
Prezzo:
Dettagli Imballo:
Tempo di Consegna:
Condizioni di pagamento:
Capacità di fornitura:

Caratteristiche

Temperatura Massima della Giunzione 175°C
Alta Capacità di Corrente di Surge
Corrente di Recupero Inverso Zero
Tensione di Recupero in Avanti Zero
Funzionamento ad alta frequenza
comportamento di Commutazione Indipendente dalla Temperatura
Coefficiente di Temperatura Positivo su VF

Applicazioni

Potenziamento Energetico Solare
Diodi di Free Wheeling per Inverter
Vienna PFC a Tre Fasi
Convertitori AC/DC
Alimentatori a Modalità Commutata

Outline

Diagramma di Marcatura

Valori di rating massimi assoluti (TC=25°C a meno che non diversamente specificato)

Il simbolo	Parametro	Valore	Unità
VRRM	Tensione inversa (picco ripetitivo)	1200	V
VDC	Tensione di blocco CC	1200	V
IF	Corrente in avanti (continua) @Tc=25°C	30	A
	Corrente in avanti (continua) @Tc=135°C	15.2	A
	Corrente in avanti (continua) @Tc=155°C	10	A
IFSM	Picco di corrente non ripetitivo @Tc=25°C tp=10ms onda semiseno	72	A
IFRM	Picco di corrente ripetitivo (Freq=0.1Hz, 100 cicli) onda semiseno @Tamb =25°C tp=10ms	56	A
Ptot	Dissipazione totale di potenza @ Tc=25°C	176	W
	Dissipazione totale di potenza @ Tc=150°C	29
	Valore I2t @Tc=25°C tp=10ms	26	A2s
TSTG	Intervallo di temperatura di conservazione	-55 a 175	°C
Tj	Intervallo di temperatura di funzionamento	-55 a 175	°C

Lo superamento degli stress elencati nella tabella delle Massime Valutazioni può danneggiare il dispositivo. Se uno qualsiasi di questi limiti viene superato, non si deve assumere che il dispositivo funzioni correttamente, potrebbe verificarsi un danno e ne risulterebbe compromessa la affidabilità.

Caratteristiche Elettriche

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità	Condizioni di prova	Nota
VF	Voltaggio di avanzamento	1.48	1.7	V	IF = 10 A TJ =25°C	Fig. 1
		2.0	3.0		IF = 10 A TJ =175°C
Ir	Corrente inversa	1	100	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	Fig. 2
		10	250		VR = 1200 V TJ =175°C
C	Capacità Totale	575		pF	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	Fig. 3
		59			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		42.5			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
Controllo di qualità	Carica Capacitiva Totale	62		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	Fig. 4
Ec	Energia di Capacitanza	16.8		μJ	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	Fig. 5