SiC SBD

דיודה שוטקי SiC אוטומוטית 1200V 40A

מבוא

מקום המוצא:	ג'ה-ג'יאנג
שם המותג:	טכנולוגיהchnology
מספר מודל:	IV1D12040U3Z
תעודה:	מאושר לפי AEC-Q101

כמות מינימלית של חבילות:	450פריטים
מחיר:
פרטי אריזה:
זמן משלוח:
תנאי תשלום:
יכולת אספקה:

תכונות

טמפרטורת קשר מקסימלית 175°C
קיבולת תקף גבוהה
זרם חזרה הפוך אפסי
מתח קידום חזרה אפסי
פעולה בתדר גבוה
התנהגות התנהגות החלפתית עצמאית מתמפרטורה
מקדם טמפרטורה חיובי על VF
מאושר לפי AEC-Q101

יישומים

דיאודים לחילוף חופשי באינורטר אוטומוטיבי
מטענים לרכב חשמלי
וינה 3-פאזה PFC
הגברת אנרגיה שמשית
מתקנים של אספקת חשמל במצב סוויטשינג

קווי חיצוניים

תמונה

דיאגרמת סימון

תמונה

ערכי מקסימום מוחלטים (Tc=25°C אלא אם נאמר אחרת)

סימן	פרמטר	ערך	יחידות
VRRM	מתח הפוך (פיק רפואתי)	1200	V
VDC	מתח חסימה קבוע	1200	V
אם	זרם קדימה (רציף) @Tc=25°C	54*	א
	זרם קדימה (רציף) @Tc=135°C	28*	א
	זרם קדימה (רציף) @Tc=151°C	20*	א
IFSM	זרם קדימה מזדקר לא-שכיח חצי סינוס @Tc=25°C tp=10ms	140*	א
IFRM	זרם חזרה מופרז (תדר=0.1Hz, 100 מחזורים) חצי גל סינוסי @Tamb =25°C tp=10ms	115*	א
Ptot	הפרכת עוצמה כוללת @ Tc=25°C	272*	ו
	הפרכת עוצמה כוללת @ Tc=150°C	45*
	ערך I2t @Tc=25°C tp=10ms	98*	A2s
Tstg	טווח טמפרטורת אחסון	-55 עד 175	°C
Tj	טווחוון טמפרטורה של צומת פעיל	-55 עד 175	°C

*לרגל

מתחים שמעודדים את הערך המרבי בטבלה עלולות לפגוע בהתקן. אם אחד מהגבולות האלה יCEEDED, לא ניתן להניח שההתקן יעבוד כהלכה, עלול להיווצר נזק וה뢰לייביטי עלולה להיות מושפעת.

פונקציונליות איננה מובטחת, נזק עלול להתרחש ותוקף עלול להיות מושפע.

מאפיינים חשמליים

סימן	פרמטר	נורמה	מקס.	יחידות	תנאי בדיקה	הערה
VF	מתח קדמי	1.48*	1.8*	V	IF = 20 A TJ =25°C	תמונה 1
		2.1*	3.0*		IF = 20 A TJ =175°C
IR	זרם הפוך	10*	200*	μA	VR = 1200 V TJ =25°C	תמונה 2
		45*	800*		VR = 1200 V TJ =175°C
צ	הכפיפות הכוללת	1114*		פה	VR = 1 V, TJ = 25°C, f = 1 MHz	תמונה 3
		100*			VR = 400 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
		77*			VR = 800 V, TJ = 25˚C, f = 1 MHz
QC	המטען הקפצי הכולל	107*		nC	VR = 800 V, TJ = 25°C, Qc = C(v)dv	תב. 4
Ec	אנרגיהנרגיה מאוחסנת של קיבול	31*		מ'ג	VR = 800 V, TJ = 25°C, Ec = C(v) ⋅vdv	תבליט 5