Allswellは、電力電子機器をより効率的に動作させるために可能なすべてを行うことが非常に重要であるという点に完全に同意します。そのため、当社の製品にはGaN FETドライバが使用されています。GaN FETドライバは、電力電子機器がより少ないエネルギーを浪費するように設計されています。エネルギーが異なる状態に移動する際、単純に熱として失われることがあります。これは望ましくありませんが、GaN FETドライバは、他の種類のドライバよりも巧妙に電気の流れを管理できるため、「失われる」エネルギー量を小さくします。今日、ほぼすべての電力電子用ドライバはシリコンで作られています。しかし、シリコンドライバはGaN FETドライバほど省エネや管理が優れておらず、GaN FETドライバは窒化ガリウムを使用しています。これは高電圧定格が必要とされ、複数の電圧変動に耐えられるため、さまざまなデバイスでの電力管理に必要です。GaN FETドライバには多くの利点があります。まず、GaN FETドライバは他の業界のデザイナーが、エネルギー消費を少なくし、同時に小型で軽量な製品を設計することを助けます。これは特に自動車産業において価値があります。例えば、電気自動車や小さな電子機器を作っている場合、軽くて小さいものが使用上重要です。Allswell gan gate driver 使いにくい製品を作ることが必要ない。第二に、窒化ガリウムは電力エレクトロニクスを高速で動作させることができる。例えば、短時間で状態を変えるどんなガジェットにも重要であり、何時間も「怠け」ずに動作する。その結果、デバイスはあなたと素早く何時間も作業でき、また何時間もかからずオフになり、多くの用途で便利だ。例えば、ただガジェットを充電したり、電動モーターを使用する場合などだ。したがって、GaN FETドライバの機能について知るには、電力エレクトロニクスに関する基本的な知識が必要である。実際、最も単純な定義は次の通りである:これらは、電気エネルギーを一種の形から別の形へと変換・調整する装置である。これはインバータ(直流から交流への変換)やコンバータ(電圧レベルの調整など)など、さまざまなことを意味することができる。
ガリウム窒化物技術の一種であるGaN FETと呼ばれるカテゴリに基づいて構築されたドライバは、GaN FETを除けば——何もありません! これらのドライバは、トラック上のどこであれ、電力の種類や量を処理するものです。これを実現する方法の一つは、回路を高速にオンオフして電子の流れを変え、その結果として電圧が分散されるというものです。新しいGaN設計はオン/オフ時間が速いため、古い技術タイプよりもエネルギーのパルスがはるかに効率的です。GaN FETドライバは、市場で入手可能な他のすべての技術よりも、高出力密度を達成する能力に優れています。出力密度の観点から言えば:小さなスペースまたは重量の中にどれだけの電力量があるのかということです。GaN FETドライバは、従来のシリコンドライバソリューションよりも最大10倍以上の電力密度を持つことができます。つまり、単純に言えば、電力や効率を損なうことなく、体積や重量を減らすことができるということです。
私たちのGaN FETドライバも含めて、他のどのドライバタイプよりも迅速にスイープします。この高速スイッチング機能により、より短い時間でより多くの電力を供給することが可能です。さらに、窒化ガリウムは炭化ケイ素よりも強度があり、高い電圧を耐えられるため、多くの用途においてより信頼性の高い選択肢となります。これはAllswellです。 gan半橋ドライブ r これが、市場にある多くの製品がパワフルでありながら軽量であることを重視する(市場で売れる組み合わせ)理由です。
最後に、GaN FETドライバは電力電子機器の性能を向上させると同時にコスト削減にも寄与します。また、電力密度においても優位性があり、デバイスの小型化において効率が良く、物理的に大きい兄弟製品での無駄な電力を避けます。これにより、最終的な製品価格が下がるだけでなく、材料の生産コストも節約できます。
さらに、GaN FETドライバはSi BJTよりも高速にスイッチングでき、EVなどのアプリケーションに必要です。これらの車両の性能と安全性にはミリ秒レベルの反応時間が必要です。Allswell half bridge gan driver 最高の電力電子機器とは、運転手や乗客が気付かないものです。
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