パワーモスフェットは、その原点からどこにでも電力を送るための大規模な力を持つ頑丈なキャプテンのような存在です。ピーク出力電圧が数百ボルト、アンペア定格も非常に巨大な仕様を示すことがあります。これらのデバイスは、電源、モータコントローラー、オーディオアンプなど、幅広い家電製品で使用され、新しいガジェットを数台だけ作ろうとしている人にとって最初の選択肢となる場合があります。それはなぜなら、彼らはオンとオフを切り替えるのが非常に速く、ほぼ抵抗なし（mΩのオーダー）で、どのトランジスターよりも速いからです。同じ理由により、JFETやIGBT（MOSゲート晶闸管）、さらにはBJTなどの他の多くのパワー・ツールよりも優先的に選ばれています。
MOSFETとは正確には何ですか？これは、電力電子機器で増幅器とスイッチとして機能するNPNトランジスタです。これらはn-channelとp-channelのタイプがあります。実際の主役はn-channel MOSFETです（他のタイプを使用することもできますが）、そのソースとドレインの間に物質が必要です。一方、p-channel MOSFETは異なる材料で作られ、独自の動作をします。
電力用MOSFETは多くの「種類」があります：電圧レベル、電流容量、パッケージ（これらはほんの一例です）。それらを選択する際の基準は主に、どのくらいの電圧や電流を制御したいか、そしてもちろん…どれほど効率的・高速であるか（<-これはOFFまたはON状態における電力消費、別名「発熱問題」に関連します）です。
正しいMOSFETを選ぶのは少し難しいように聞こえますが、心配しないでください！ここにいくつかの重要なポイントがあります。まず、MOSFETが体験するかもしれない電圧をすべて処理できる必要があることを確認してください。また、希望する最高電流で過熱しないことも確認してください。それは迅速に切り替えられ、heat_contributor_2_information=Open accessに対応できることは非常に重要です。
一部の電子アプリケーションでは、高速スイッチングがこのゲームの目的です。そこで、それを実現するための17の方法をお伝えします。
ゲートドライバ回路の調整これを行うことで、ゲートドライバ回路を最適化できます。
容量を減らすと、スイッチがはるかに速く動作します。
ボディダイオード復帰時間：高速動作のために、クイックリカバリーボディダイオードを選択する必要があります。
均一なスナバネットワークの使用：瞬断のないスイッチングにはスナバは不要です。
要するに、これらの変化はSiCとGaNの電力電子材料の地図を再定義しています。これらの材料は高い熱伝導率と良好な耐圧性、優れた電子移動度を持ち、大電力を取り扱うデバイスに必要な特性の組み合わせを備えています。SiC MOSFETはすでに長い間存在していますが、GaNの登場により、以前よりも高いスイッチング周波数で使用できるようになりました。
非常に短い期間のうちに、MOSFET技術は現在の水準に到達しました。当初の設計は遅く、高消費電力の製品でしたが、MOSFETデバイスは速度と信頼性の両方でパフォーマンスを向上させました。トレンチMOSFETは明らかにゲームチェンジャーであり、深いトレンチはより良いゲート制御と低抵抗を提供します。オンチップ電源システムは、周辺で最も進んだMOSFETのいくつかを備えており、モータコントロールやスイッチング（最大99%の効率！）などのアプリケーションに最適です。また、コンピュータなどに必要なハイサイドスイッチにも使用できますが、さらに2つのリニアレギュレーターも内蔵されています！単に標準レベルよりも高い適切な入力電圧を追加し、望む出力範囲に設定してください。
言い換えれば、パワーMOSFETは現代の電子機器における沈黙の戦士です。電圧、電流、スイッチング速度に応じて適切なMOSFETを選択しても、それだけでは限界があります。パワーエレクトロニクス分野では、SiC（シリコンカーバイド）やGaNといった新材料、そしてトレンチゲートを含む最新のMOSFET技術の進展も恩恵を受けるでしょう。
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