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Sic 모스펫

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Sic 모스펫

1200V 30mΩ 제2세대 자동차용 SiC MOSFET

소개
원산지: 절강
브랜드 이름: 인벤트칩 테크놀로지
모델 번호: IV2Q12030D7Z
인증: AEC-Q101 인증


특징

  • 2 세대 SiC MOSFET 기술 +18V 게이트 드라이브

  • 높은 차단 전압과 낮은 온저항

  • 낮은 용량으로 고속 스위칭

  • 높은 작동 접합부 온도 성능

  • 매우 빠르고 견고한 내재 다이오드

  • 드라이버 회로 설계를 용이하게 하는 켈빈 게이트 입력

응용 프로그램

  • 자동차 운전자

  • 태양광 인버터

  • 자동차 DC/DC 컨버터

  • 자동차 압축기 인버터

  • 스위치 모드 전원 공급 장치


개요:

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표시도:

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절대 최대 등급 (TC=25°C, 특별히 언급되지 않은 경우)

상징 매개변수 가치 UNIT 시험 조건 주의
VDS 드레인-소스 전압 1200 V VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC) 최대 DC 전압 -5 to 20 V 정적 (DC)
VGSmax (파동) 최대 스파이크 전압 -10에서 23 V 듀티 사이클<1%, 펄스 폭<200ns
VGSon 권장 켜기 전압 18±0.5 V
VGSoff 권장 끄기 전압 -3.5 to -2 V
Id 드레인 전류 (연속) 79 A VGS =18V, TC =25°C 그림 23
58 A VGS =18V, TC =100°C
IDM 드레인 전류 (펄스) 198 A SOA에 의해 펄스 폭 제한 그림 26
Ptot 총 전력 손실 395 W TC =25°C 그림 24
TSTG 보관 온도 범위 -55에서 175까지 °C
Tj 운영 접합 온도 -55에서 175까지 °C
티엘티엘 땜납 온도 260 °C 파동땜납은 케이스에서 1.6mm 떨어진 리드에서만 허용, 10초 동안


열 데이터

상징 매개변수 가치 UNIT 주의
Rθ(J-C) 접합부에서 케이스로의 열 저항 0.38 °C/W 그림 23


전기적 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)

상징 매개변수 가치 UNIT 시험 조건 주의
최소. 전형적인. 최대.
IDSS 게이트 전압이 없는 드레인 전류 5 100 μA VDS =1200V, VGS =0V
IGSS 게이트 누설 전류 ±100 부적절함 VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH 게이트 임계 전압 1.8 2.8 4.5 V VGS=VDS , ID =12mA 그림 8, 9
2.0 VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C
RON 정전류 드레인-소스 온 저항 30 39 VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C 그림 4, 5, 6, 7
55 VGS =18V, ID =30A @TJ =175。C
36 47 VGS =15V, ID =30A @TJ =25。C
58 VGS =15V, ID =30A @TJ =175。C
입력 전용 용량 입력 용량 3000 pF VDS=800V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV 그림 16
출력 전용 용량 출력 용량 140 pF
게이트-드레인 역상 용량 역전환 용량 7.7 pF
출력 용량 에너지 출력 용량 저장 에너지 57 μJ 그림 17
본부 총 게이트 전하량 135 nC VDS =800V, ID =40A, VGS =-3에서 18V 그림. 18
Qgs 게이트-소스 전하량 36.8 nC
Qgd 게이트-드레인 전하량 45.3 nC
Rg 게이트 입력 저항 2.3 ω f=1MHz
EON 켜기 전원 전환 856.6 μJ VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5에서 18V, RG(외부) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C 그림 19, 20
EOFF 그라운드 스위치 에너지 118.0 μJ
td(on) 턴온 지연 시간 15.4 nS
tr 상승 시간 24.6
td(off) 차단 지연 시간 28.6
tF 하강 시간 13.6


역방향 다이오드 특성 (TC =25。C 특별히 지정되지 않은 경우)

상징 매개변수 가치 UNIT 시험 조건 주의
최소. 전형적인. 최대.
VSD 다이오드 순방향 전압 4.2 V ISD =30A, VGS =0V 그림 10, 11, 12
4.0 V ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C
trr 역회복 시간 54.8 nS VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr 역환수료 470.7 nC
IRRM 최대 역회복 전류 20.3 A


형식적인 성능 (곡선)

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