1700V 1000mΩ Auxiliarium alimentorum SiC MOSFET

Locus Originis:	Zhejiang
Nomen Notae:	Inventchip
Numerus Moduli:	IV2Q171R0D7
Minima Quantitas Emballatio:	450

Proprietates

⚫ Technologia SiC MOSFET Generationis Secundae cum

+15~+18V portae impetus

⚫ Altus voltus impedientis cum basili resistenti in statu incluso

⚫ Celer commutatio cum basili capacitati

⚫ Potentia temperatura junctionis operationis usque ad 175℃

⚫ Ultra celer et robustus diodius corporis intrinseci

⚫ Porta Kelvin input levans design circuti driver

Usus

⚫ Inversores Solares

⚫ Praebia alimenta

⚫ Alimentatores potentiae commutativi

⚫ Horologia intelligentia

Contornus:

Diagramma Notationis:

Censurae Summae Absolutae (TC=25°C nisi aliter specificatum)

Symbolum	Parametrum	Valor	Unitas	Conditiones Probationis	Nota
VDS	Tensio a Dreno ad Fontem	1700	V	VGS=0V, ID=10μA
VGSmax (Transitorium)	Maxima tensio spicata	-10 ad 23	V	Cyclus officii <1%, et latitudo pulsus <200ns
VGSon	Tollenda voltio commendata	15 ad 18	V
VGSoff	Demissa voltio commendata	-5 ad -2	V	Valore tipico -3.5V
ID	Continua amperitas (continua)	6.3	A	VGS=18V, TC=25°C	Fig. 23
ID	Continua amperitas (continua)	4.8	A	VGS=18V, TC=100°C	Fig. 23
IDM	Iusus (pulsatus)	15.7	A	Largor pulsus limitatur per SOA et dynamic Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Iusus diodae corporis (pulsatus)	15.7	A	Largor pulsus limitatur per SOA et dynamic Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
PTOT	Totalis dissipatio potentiae	73	W	TC=25°C	Fig. 24
Tstg	Temperatura recondita spatium	-55 ad 175	°C
TJ	Temperatura iunctionis operationis	-55 ad 175	°C

Data Thermica

Symbolum	Parametrum	Valor	Unitas	Nota
Rθ(J-C)	Resistentia Thermica ab Iunctura ad Cistellam	2.05	°C\/W	Fig. 25

Caracteristicae Electrificae (TC=25°C nisi aliter specificatum)

Symbolum	Parametrum	Valor			Unitas	Conditiones Probationis	Nota
Symbolum	Parametrum	Min.	Typ.	Max.	Unitas	Conditiones Probationis	Nota
IDSS	Drain Currentus cum voltatibus nullis in porta		1	10	μA	VDS=1700V, VGS=0V
IGSS	Fluxus per gate			±100	nA	VDS=0V, VGS=-5~20V
VTH	Voltages limen gate	1.8	3.0	4.5	V	VGS=VDS, ID=380uA	Fig. 8, 9
VTH	Voltages limen gate		2.0		V	VGS=VDS, ID=380uA @ TJ=175°C	Fig. 8, 9
RON	Statis resistentialis inter drenum et sursorem		700 1280	910	mΩ	VGS=18V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
RON	Statis resistentialis inter drenum et sursorem		950 1450	1250	mΩ	VGS=15V, ID=1A @TJ=25°C @TJ=175°C	Fig. 4, 5, 6, 7
Ciss	Capacitas input		285		pF	VDS=1000V, VGS=0V, f=1MHz, VAC=25mV	Fig. 16
Coss	Capacitas exitus		15.3		pF
Crss	Capacitas translatio inversa		2.2		pF
Eoss	Energia conservata Coss		11		μJ		Fig. 17
Qg	Summa accusatio portae		16.5		nC	VDS=1000V, ID=1A, VGS=-5 ad 18V	Fig. 18
Qgs	Facies-fontis accusatio		2.7		nC
Qgd	Facies-defluxus accusatio		12.5		nC
Rg	Resistentia input fontis		13		ω	f=1MHz
EON	Energia commutationis ad incendum		51.0		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ad 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=25°C	Fig. 19, 20
EOFF	Energia commutationis ad exstinguendum		17.0		μJ
td(on)	Tempus morae ad incendum		4.8		nS
tr	Tempus surgens		13.2
td(off)	Tempus morae praestinatio		12.0
tF	Tempus decidendi		66.8
EON	Energia commutationis ad incendum		90.3		μJ	VDS=1000V, ID=2A, VGS=-3.5V ad 18V, RG(ext)=10Ω, L=2330μH Tj=175°C	Fig. 22
EOFF	Energia commutationis ad exstinguendum		22.0		μJ		Fig. 22

Caracteristica Diodi Inversi (TC=25°C nisi aliter specificatum)

Symbolum	Parametrum	Valor			Unitas	Conditiones Probationis	Nota
Symbolum	Parametrum	Min.	Typ.	Max.	Unitas	Conditiones Probationis	Nota
VSD	Voltium directum diodis		4.0		V	ISD=1A, VGS=0V	Fig. 10, 11, 12
VSD	Voltium directum diodis		3.8		V	ISD=1A, VGS=0V, TJ=175°C	Fig. 10, 11, 12
Est	Currus directus diodis (continuus)			11.8	A	VGS=-2V, TC=25°C
Est	Currus directus diodis (continuus)			6.8	A	VGS=-2V, TC=100°C
trr	Tempus recuperationis inversae		20.6		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD=2A, VR=1000V, RG(ext)=10Ω L=2330μH di/dt=5000A/μs
Qrr	Electritas recuperationis inversae		54.2		nC
IRRM	Summa currentis recuperationis inversae		8.2		A