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SiC MOSFET

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SiC MOSFET

1200V 80mΩ Generatio Secunda Automotivus SiC MOSFET Motoris impulsores
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1200V 80mΩ Generatio Secunda Automotivus SiC MOSFET Motoris impulsores

Accipe Citatum Datasheet
  • Introductio
Introductio
Locus Originis: Zhejiang
Nomen Notae: Inventchip Technologia
Numerus Moduli: IV2Q12080D7Z
Certificatio: AEC-Q101 qualificationem adeptus

1(cc5d40ed5a).jpg2(152f5dd58e).jpg3(b848d2421a).jpg4(b30f603601).jpg5(1bb5515055).jpg6(19be68dcdd).jpg7(de2af97e20).jpg8(0ad5fca3bc).jpg9(eae08359ce).jpg10(0aad86fbf0).jpg11(2ea661def4).jpg12(75d573c84f).jpg13(06eb29fb07).jpg14(bf4bd1b650).jpg15.jpg16.jpg

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