1200V 160mΩ Gen2 Automobilių SiC MOSFET

Savybės

Paraiškos

Apyvokis:

Žymėjimo diagrama:

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VDS	Elektrinis įtampos tarp dreno ir šaltinio	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimalus DC arba	-5 iki 20	V	Statinis (DC)
VGSmax (Smūgis)	Didžiausias sprendulio galvazodis	-10 iki 23	V	Darbo ciklas<1%, ir impulsų plotis<200ns
VGSįjungimas	Rekomenduojamas įjungimo galvazodis	18±0.5	V
VGSimjungimas	Rekomenduojamas išjungimo galvazodis	-3.5 iki -2	V
Id	Srovės esamumas (tolydus)	19	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		14	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Srovės esamumas (pulsuojantis)	47	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA	Figs. 26
Ptot	Bendras galios sužadinimas	136	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatavimo jungties temperatūra	-55 iki 175	°C
TL	Sudėliojimo temperatūra	260	°C	daromasis lotynas leidžiamas tik ant varžų, 1,6 mm nuo korpuso per 10 s

Termينinис Duomenis

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Pastaba
Rθ(J-C)	Termine rezistencija nuo jungčių iki korpuso	1.1	°C/W	Fig. 25

Elektriniai charakteristika (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
		Min.	Tip.	Maks.
IDSS	Draino srovė su nulinėmis vartų voltaziais		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Slipinio srautas per vartus			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Vartų slinkimo įtampa	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =2mA	Fig. 8, 9
			2.1			VGS = VDS, ID = 2mA @ TJ = 175. C
RON	Statinis dreno-kilpųjų įjungimo varžymas		160	208	mΩ	VGS = 18V, ID = 5A @ TJ = 25. C	Figs. 4, 5, 6, 7
			285		mΩ	VGS = 18V, ID = 5A @ TJ = 175. C
Ciss	Įvesties talpa		575		pF	VDS = 800V, VGS = 0V, f = 1MHz, VAC = 25mV	Figs. 16
Coss	Išvesties talpa		34		pF
Crss	Atvirkštinė perdavimo talpa		2.3		pF
Eoss	Coss saugoma energija		14		μJ		Fig. 17
Qg	Bendras varžos krūvis		29		nC	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3 iki 18V	Fig. 18
Qgs	Varojo ir šaltinio krūvis		6.6		nC
Qgd	Varojo ir dreno krūvis		14.4		nC
Rg	Varojo įvesties varžymas		10		ω	f=1MHz
EON	Įjungimo perjungimo energija		115		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =25。C	Figs. 19, 20
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		22		μJ
td(on)	Išjungimo laikas		2.5		nS
tr	Sukėlimo laikas		9.5
td(off)	Išjungimo delsinis laikas		7.3
tF	Kritimo laikas		11.0
EON	Įjungimo perjungimo energija		194		μJ	VDS =800V, ID =10A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=300μH TJ =175. C	Figs. 22
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		19		μJ

Atvirkštinio diodo charakteristikos (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.0		V	ISD =5A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodo priekinė įtampa		3.7		V	ISD =5A, VGS =0V, TJ =175. C	Figs. 10, 11, 12
trr	Atkūrimo laikas atvirkščiuju kryptimi		26		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =10A, VR =800V, RG(ext) =15Ω L=300μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Atkūrimo krūvis atvirkščiuju kryptimi		92		nC
IRRM	Maksimalus atkūrimo srovės intensyvumas atvirkščiuju kryptimi		10.6		A