1200V 30mΩ Gen2 Automobilių SiC MOSFET

Savybės

Paraiškos

Apyvokis:

Žymėjimo diagrama:

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (TC=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VDS	Elektrinis įtampos tarp dreno ir šaltinio	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimalus DC arba	-5 iki 20	V	Statinis (DC)
VGSmax (Smūgis)	Didžiausias sprendulio galvazodis	-10 iki 23	V	Darbo ciklas<1%, ir impulsų plotis<200ns
VGSįjungimas	Rekomenduojamas įjungimo galvazodis	18±0.5	V
VGSimjungimas	Rekomenduojamas išjungimo galvazodis	-3.5 iki -2	V
Id	Srovės esamumas (tolydus)	79	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		58	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Srovės esamumas (pulsuojantis)	198	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA	Figs. 26
Ptot	Bendras galios sužadinimas	395	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatavimo jungties temperatūra	-55 iki 175	°C
TL	Sudėliojimo temperatūra	260	°C	daromasis lotynas leidžiamas tik ant varžų, 1,6 mm nuo korpuso per 10 s

Termينinис Duomenis

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Pastaba
Rθ(J-C)	Termine rezistencija nuo jungčių iki korpuso	0.38	°C/W	Fig. 23

Elektriniai charakteristika (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
IDSS	Draino srovė su nulinėmis vartų voltaziais		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Slipinio srautas per vartus			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Vartų slinkimo įtampa	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Vartų slinkimo įtampa		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statinis dreno-kilpųjų įjungimo varžymas		30	39	mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =25。C	Figs. 4, 5, 6, 7
			55		mΩ	VGS =18V, ID =30A @TJ =175. C
			36	47	mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =25. C
			58		mΩ	VGS =15V, ID =30A @TJ =175. C
Ciss	Įvesties talpa		3000		pF	VDS = 800V, VGS = 0V, f = 1MHz, VAC = 25mV	Figs. 16
Coss	Išvesties talpa		140		pF
Crss	Atvirkštinė perdavimo talpa		7.7		pF
Eoss	Coss saugoma energija		57		μJ		Fig. 17
Qg	Bendras varžos krūvis		135		nC	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3 iki 18V	Fig. 18
Qgs	Varojo ir šaltinio krūvis		36.8		nC
Qgd	Varojo ir dreno krūvis		45.3		nC
Rg	Varojo įvesties varžymas		2.3		ω	f=1MHz
EON	Įjungimo perjungimo energija		856.6		μJ	VDS =800V, ID =40A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figs. 19, 20
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		118.0		μJ
td(on)	Išjungimo laikas		15.4		nS
tr	Sukėlimo laikas		24.6
td(off)	Išjungimo delsinis laikas		28.6
tF	Kritimo laikas		13.6

Atvirkštinio diodo charakteristikos (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.2		V	ISD =30A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.0		V	ISD =30A, VGS =0V, TJ =175。C	Figs. 10, 11, 12
trr	Atkūrimo laikas atvirkščiuju kryptimi		54.8		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =800V, RG(ext) =13Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Atkūrimo krūvis atvirkščiuju kryptimi		470.7		nC
IRRM	Maksimalus atkūrimo srovės intensyvumas atvirkščiuju kryptimi		20.3		A