1200V 40mΩ Gen2 Automobilių SiC MOSFET

Savybės

Paraiškos

Apyvokis:

Žymėjimo diagrama:

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VDS	Elektrinis įtampos tarp dreno ir šaltinio	1200	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (Tranzientinė)	Didžiausia perartinanti įtampa	-10 iki 23	V	Darbo ciklas<1%, ir impulsų plotis<200ns
VGSįjungimas	Rekomenduojamas įjungimo galvazodis	15 iki 18	V
VGSimjungimas	Rekomenduojamas išjungimo galvazodis	-5 iki -2	V	Tipiška -3.5V
Id	Srovės esamumas (tolydus)	65	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
Id	Srovės esamumas (tolydus)	48	A	VGS =18V, TC =100°C	Fig. 23
IDM	Srovės esamumas (pulsuojantis)	162	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA ir dinaminio Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
ISM	Sąsajos diodos srovė (pulsuojanti)	162	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA ir dinaminio Rθ(J-C)	Fig. 25, 26
Ptot	Bendras galios sužadinimas	375	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatavimo jungties temperatūra	-55 iki 175	°C
TL	Sudėliojimo temperatūra	260	°C	daromasis lotynas leidžiamas tik ant varžų, 1,6 mm nuo korpuso per 10 s

Termينinис Duomenis

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Pastaba
Rθ(J-C)	Termine rezistencija nuo jungčių iki korpuso	0.4	°C/W	Fig. 25

Elektrинiniai charakteristika (TC =25。C jei kitaisiais nenuostatyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
IDSS	Draino srovė su nulinėmis vartų voltaziais		5	100	μA	VDS =1200V, VGS =0V
IGSS	Slipinio srautas per vartus			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Vartų slinkimo įtampa	1.8	2.8	4.5	V	VGS =VDS , ID =9mA	Fig. 8, 9
VTH	Vartų slinkimo įtampa		2.1			VGS =VDS , ID =9mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statinis dreno-kilpųjų įjungimo varžymas		40	52	mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =25. C	Figs. 4, 5, 6, 7
			75		mΩ	VGS =18V, ID =20A @TJ =175. C
			50	65	mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =25. C
			80		mΩ	VGS =15V, ID =20A @TJ =175. C
Ciss	Įvesties talpa		2160		pF	VDS = 800V, VGS = 0V, f = 1MHz, VAC = 25mV	Figs. 16
Coss	Išvesties talpa		100		pF
Crss	Atvirkštinė perdavimo talpa		5.8		pF
Eoss	Coss saugoma energija		40		μJ		Fig. 17
Qg	Bendras varžos krūvis		110		nC	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3 iki 18V	Fig. 18
Qgs	Varojo ir šaltinio krūvis		25		nC
Qgd	Varojo ir dreno krūvis		59		nC
Rg	Varojo įvesties varžymas		2.1		ω	f=1MHz
EON	Įjungimo perjungimo energija		446.3		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figs. 19, 20
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		70.0		μJ
td(on)	Išjungimo laikas		9.6		nS
tr	Sukėlimo laikas		22.1
td(off)	Išjungimo delsinis laikas		19.3
tF	Kritimo laikas		10.5
EON	Įjungimo perjungimo energija		644.4		μJ	VDS =800V, ID =30A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Figs. 22
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		73.8		μJ		Figs. 22

Atvirkštinio diodo charakteristikos (TC =25。C jei kitur nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.2		V	ISD =20A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodo priekinė įtampa		4.0		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figs. 10, 11, 12
Yra	Diodo priekinis srovė (tolydžioji)			63	A	VGS =-2V, TC =25. C
Yra	Diodo priekinis srovė (tolydžioji)			36	A	VGS =-2V, TC=100. C
trr	Atkūrimo laikas atvirkščiuju kryptimi		42.0		nS	VGS=-3.5V/+18V, ISD =30A, VR =800V, RG(ext) =10Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Atkūrimo krūvis atvirkščiuju kryptimi		198.1		nC
IRRM	Maksimalus atkūrimo srovės intensyvumas atvirkščiuju kryptimi		17.4		A