650V 25mΩ Gen2 Automobilių SiC MOSFET

Savybės

Paraiškos

Apyvokis:

Žymėjimo diagrama:

Absoliutiniausi Didžiausiniai Rodikliai (Tc=25°C nebent kitą nurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VDS	Elektrinis įtampos tarp dreno ir šaltinio	650	V	VGS =0V, ID =100μA
VGSmax (DC)	Maksimalus DC arba	-5 iki 20	V	Statinis (DC)
VGSmax (Smūgis)	Didžiausias sprendulio galvazodis	-10 iki 23	V	Darbo ciklas<1%, ir impulsų plotis<200ns
VGSįjungimas	Rekomenduojamas įjungimo galvazodis	18±0.5	V
VGSimjungimas	Rekomenduojamas išjungimo galvazodis	-3.5 iki -2	V
Id	Srovės esamumas (tolydus)	99	A	VGS =18V, TC =25°C	Fig. 23
		72	A	VGS =18V, TC =100°C
IDM	Srovės esamumas (pulsuojantis)	247	A	Pulso plotis ribojamas dėl SOA	Figs. 26
Ptot	Bendras galios sužadinimas	454	W	TC =25°C	Fig. 24
Tstg	Saugyklos temperatūros intervalas	-55 iki 175	°C
Tj	Eksploatavimo jungties temperatūra	-55 iki 175	°C
TL	Sudėliojimo temperatūra	260	°C	daromasis lotynas leidžiamas tik ant varžų, 1,6 mm nuo korpuso per 10 s

Termينinис Duomenis

Simbolis	Parametras	Vertė	VIENETAS	Pastaba
Rθ(J-C)	Termine rezistencija nuo jungčių iki korpuso	0.33	°C/W	Fig. 25

Elektriniai charakteristika (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
IDSS	Draino srovė su nulinėmis vartų voltaziais		3	100	μA	VDS =650V, VGS =0V
IGSS	Slipinio srautas per vartus			±100	nA	VDS =0V, VGS = -5~20V
VTH	Vartų slinkimo įtampa	1.8	2.8	4.5	V	VGS=VDS , ID =12mA	Fig. 8, 9
VTH	Vartų slinkimo įtampa		2.0			VGS=VDS , ID =12mA @ TJ =175。C	Fig. 8, 9
RON	Statinis šaltinio-artinio įjungimo varžymas		25	33	mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =25。C	Figs. 4, 5, 6, 7
RON	Statinis šaltinio-artinio įjungimo varžymas		38		mΩ	VGS =18V, ID =40A @TJ =175。C	Figs. 4, 5, 6, 7
Ciss	Įvesties talpa		3090		pF	VDS=600V, VGS =0V, f=1MHz, VAC=25mV	Figs. 16
Coss	Išvesties talpa		251		pF
Crss	Atvirkštinė perdavimo talpa		19		pF
Eoss	Coss saugoma energija		52		μJ		Fig. 17
Qg	Bendras varžos krūvis		125		nC	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3 iki 18V	Fig. 18
Qgs	Varojo ir šaltinio krūvis		35.7		nC
Qgd	Varojo ir dreno krūvis		38.5		nC
Rg	Varojo įvesties varžymas		1.5		ω	f=1MHz
EON	Įjungimo perjungimo energija		218.8		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =25。C	Figs. 19, 20
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		95.0		μJ
td(on)	Išjungimo laikas		12.9		nS
tr	Sukėlimo laikas		26.5
td(off)	Išjungimo delsinis laikas		23.2
tF	Kritimo laikas		11.7
EON	Įjungimo perjungimo energija		248.5		μJ	VDS =400V, ID =40A, VGS =-3.5 iki 18V, RG(ext) =3.3Ω, L=200μH TJ =175。C	Figs. 22
EOFF	Išjungimo perjungimo energija		99.7		μJ		Figs. 22

Atvirkštinio diodo charakteristikos (TC =25. C jei kitaisiais nenurodyta)

Simbolis	Parametras	Vertė			VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
Simbolis	Parametras	Min.	Tip.	Maks.	VIENETAS	Bandymo sąlygos	Pastaba
VSD	Diodo priekinė įtampa		3.7		V	ISD =20A, VGS =0V	Figs. 10, 11, 12
VSD	Diodo priekinė įtampa		3.5		V	ISD =20A, VGS =0V, TJ =175。C	Figs. 10, 11, 12
trr	Atkūrimo laikas atvirkščiuju kryptimi		32		nS	VGS =-3.5V/+18V, ISD =40A, VR =400V, RG(ext) =7.5Ω L=200μH di/dt=3000A/μs
Qrr	Atkūrimo krūvis atvirkščiuju kryptimi		195.3		nC
IRRM	Maksimalus atkūrimo srovės intensyvumas atvirkščiuju kryptimi		20.2		A